[发明专利]剥离多层基板的方法

权利要求书

1.一种加工第一基板的方法，其中所述第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面，所述方法包括以下歩骤：

(I)使臂在所述载体基板上延伸，其中附连构件由所述臂运载；

(II)将所述附连构件真空附连到所述载体基板的第二主表面的前周围表面部分；

(III)利用所述附连构件向所述前周围表面部分施加压力；

(IV)减小所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度；以及

(V)在所述附连构件相对于所述臂枢转时，利用所述附连构件将所述载体基板的前周围边缘从所述第一基板剥离；

(VI)基于在歩骤(V)期间获得的信息确定所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述附连构件相对于所述臂枢转在0°至15°的范围内的角度。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括以下歩骤：在所述臂相对于所述第一基板枢转时持续从所述第一基板剥离所述载体基板，还包括以下步骤：在所述臂相对于所述第一基板枢转时控制所述载体基板的弯曲半径。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基板的形状在剥离步骤和施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括将所述第一基板真空附连到真空板，其中所述真空附连提供在所述剥离步骤和所述施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定的所述第一基板的形状。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分包括限定于所述载体基板的第一侧边缘与第二侧边缘之间的长度，并且施加压力步骤沿着所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分的基本上整个长度施加压力。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基板包括选自下列的基板：玻璃基板和硅晶片。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一基板包括100微米至300微米的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体基板包括300微米至700微米的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体基板的占据面积大于所述第一基板的占据面积。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(I)之前，还包括在将所述第一基板结合到所述载体基板上的同时加工所述第一基板的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，其中施加压力步骤包括沿着所述前周围表面部分的基本上整个长度均匀地施加所述压力。

13.根据权利要求12所述的方法，其中剥离步骤包括从所述第一基板沿着所述前周围表面部分的整个长度基本上同时剥离所述载体基板的所述前周围边缘。

14.一种加工第一基板的方法，其中所述第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面，所述方法包括以下歩骤：

(I)减小所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度；

(II)通过向所述载体基板的第二主表面的前周围表面部分施加压力来从所述第一基板剥离所述载体基板的前周围边缘；

(III)基于在歩骤(II)期间获得的信息确定所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度；

(IV)从所述第一基板继续剥离所述载体基板直到所述载体基板完全从所述第一基板剥离；以及

其中，在步骤(IV)期间控制所述载体基板的弯曲半径。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一基板的形状在剥离步骤和施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定。