[发明专利]绝缘电路基板、功率模块以及功率单元

权利要求书

1.一种绝缘电路基板，其中，具备：

绝缘基板；

第1电极，形成于所述绝缘基板的一个主表面上，该第1电极的平面形状是多边形形状；以及

第2电极，形成于所述绝缘基板的与所述一个主表面的相反侧的另一个主表面上，该第2电极的平面形状是多边形形状，

在所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的角部形成有薄部，所述薄部的厚度比所述薄部以外的区域薄，所述角部是在俯视时从所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的顶点起在沿着外边缘的方向上占据所述外边缘的长度的一部分的区域，

所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的所述薄部的平面形状由如下部分包围：从所述顶点起作为所述外边缘的一部分相互正交的第1边以及第2边、和远离所述顶点的曲线状的部分。

2.一种绝缘电路基板，其中，具备：

绝缘基板；

第1电极，形成于所述绝缘基板的一个主表面上，该第1电极的平面形状是多边形形状；以及

第2电极，形成于所述绝缘基板的与所述一个主表面的相反侧的另一个主表面上，该第2电极的平面形状是多边形形状，

在所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的角部形成有薄部，所述薄部的厚度比所述薄部以外的区域薄，所述角部是在俯视时从所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的顶点起在沿着外边缘的方向上占据所述外边缘的长度的一部分的区域，

所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的所述薄部具有：由从所述顶点起作为所述外边缘的一部分相互正交的第1边以及第2边、和以连接所述第1边以及第2边的与所述顶点相反的一侧的端部的方式在相对于所述第1边以及第2边倾斜的方向上延伸的第3边包围的三角形的平面形状。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘电路基板，其中，

所述薄部具有包括所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的多个顶点中的1个所述顶点的平面形状，

关于所述薄部，从包含于所述薄部的1个所述顶点至所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极中的所述薄部以外的区域的最短距离为所述薄部的厚度的5倍以上且10倍以下。

4.根据权利要求1或2所述的绝缘电路基板，其中，

所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的厚度为0.6mm以上且1.5mm以下。

5.根据权利要求1或2所述的绝缘电路基板，其中，

所述薄部的厚度为0.2mm以上且0.4mm以下。

6.根据权利要求1或2所述的绝缘电路基板，其中，

所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极在所述一个主表面上或者所述另一个主表面上相互空出间隔地被分割成多个。

7.根据权利要求1或2所述的绝缘电路基板，其中，

所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的所述薄部在所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极的沿着所述外边缘的外边缘部包括沿着所述外边缘延伸的延长部。

8.根据权利要求1或2所述的绝缘电路基板，其中，

所述第1电极以及第2电极中的至少某一个电极包括以覆盖所述一个主表面或者所述另一个主表面的方式形成的第1层以及以覆盖所述第1层的表面的方式形成的第2层。

9.一种功率模块，其中，具备：

权利要求1～8中的任一项所述的绝缘电路基板；以及

功率半导体元件，放置于所述绝缘电路基板的表面上。

10.根据权利要求9所述的功率模块，其中，

所述功率半导体元件由宽带隙半导体形成。

11.根据权利要求10所述的功率模块，其中，

所述宽带隙半导体是由碳化硅、氮化镓系材料或者金刚石构成的群中的任意材料。

12.一种功率单元，其中，

将权利要求9～11中的任一项所述的功率模块放置于散热器的表面上。