[发明专利]测量数据对制造工具位置和处理批次或时间的映射有效
申请号: | 201580067881.1 | 申请日: | 2015-10-20 |
公开(公告)号: | CN107004618B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | G.艾尔斯;S.麦克唐纳 | 申请(专利权)人: | 奥罗拉太阳能技术(加拿大)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 加拿大不列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 数据 制造 工具 位置 处理 批次 时间 映射 | ||
本发明提供用于光伏产品的制造过程控制的方法和系统。一些实施方案涉及追踪用于光伏产品的晶片关于哪个制造工具处理它们和它们在该制造工具中的位置的方法。一些实施方案涉及测量和表征部分完成的光伏产品的品质关键性参数,所述部分完成的光伏产品由所讨论的制造工具产生。一些实施方案涉及所测量的参数在计算机屏幕上的显示和可视化,使得各制造单元的参数可在以下范围中直接观察:哪个制造工具处理它们、在处理期间它们位于具体制造工具内的哪个位置、和哪个批次或在连续处理的情况下何时单元被处理。
技术领域
本发明涉及光伏(“PV”)产品及其制造的领域,和特别地涉及通过使用在由制造工具处理后的部分完成的制品(半成品)的品质关键性参数的测量而显示和控制制造工具的性能的方式(手段)。
背景技术
光伏(“PV”)产品和设备将吸收的照明直接转换为电能,其具有无污染并且操作无声的优点。它们容易适应于集中式或分布式的发电系统,并且因此是有吸引力的对化石燃料和核动力源的替代品。
PV产业的总体需求在于充分地降低所制造的PV产品的成本以在高度竞争的定价下实现产品盈利能力。对于晶片、电池(元件)和模块制造商而言,该降低成本的驱动具有三个方面:改善的产品技术(所谓的“高效率(效力)”产品),对于给定的市场价格提供更高的功率输出;通过规模经济降低材料和资本设备(固定设备)的单位成本;以及改善的制造效率和产率。特别地,目前的制造工艺例如通过进一步提供用于工艺监控和优化的工具而经历改进。
因此,需要不受现有技术的一个或多个限制的用于光伏和类似的基于硅晶片的产品的品质控制方法和系统。
提供该背景信息以揭示申请人认为可能与本发明相关的信息。不必意图承认,也不应该解释为,任何前述信息构成针对本发明的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供用于在光伏产品中使用的硅电池(元件)的制造期间的品质监控的方法和系统。根据本发明的一个方面,提供用于在光伏产品中使用的硅电池的制造期间的品质监控的方法,所述方法包括:在制造操作后测量硅晶片的特性,所述制造操作包括通过制造工具的处理;确定在处理期间在制造工具内的硅晶片的空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者;和基于硅晶片的经测量的特性提供信息的图形显示,所述信息根据空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者空间地排列在图形显示上。
根据本发明的另一方面,提供用于在光伏产品中使用的硅电池的制造期间的品质监控的系统,所述系统包括:晶片测量模块,其配置为在制造操作后测量硅晶片的特性,所述制造操作包括通过制造工具的处理;晶片追踪模块,其配置为确定在处理期间在制造工具内的硅晶片的空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者;和操作员界面(接口)模块,其配置为基于硅晶片的经测量的特性提供信息的图形显示,所述信息根据空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者空间地排列在图形显示上。
根据本发明的另一方面,提供用于在光伏产品中使用的硅电池的制造期间的品质监控的方法,所述方法包括:在制造操作后测量硅晶片的参数,所述制造操作包括通过制造工具的处理;使硅晶片各自的经测量的参数与通过制造工具的处理的时间、在处理期间在制造工具内的硅晶片各自的对应位置、或其组合相关联;使硅晶片各自的经测量的参数与制造操作的方面相关联,所述方面包括在制造工具内的处理位置和处理时间之一或两者,从而确定制造工具的操作特性;和显示所确定的制造工具的操作特性用于品质监控。制造工具可为例如批次(分批)制造工具或线式(在线,成行,inline)制造工具。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥罗拉太阳能技术(加拿大)股份有限公司,未经奥罗拉太阳能技术(加拿大)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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