[发明专利]测量数据对制造工具位置和处理批次或时间的映射

权利要求书

1.用于在光伏产品中使用的硅电池的制造期间的品质监控的方法，所述方法包括：

在制造操作后测量多个硅晶片的特性，所述制造操作对应于通过用于执行具体制造步骤的制造工具的处理；

确定在处理期间在制造工具内的硅晶片的空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者；和

提供基于硅晶片的经测量的特性产生的信息的图形显示，所述信息根据空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者空间地排列在图形显示上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中基于硅晶片的经测量的特性产生的所述信息指示所述制造工具的一个或多个操作特性中的空间变化、时间变化或者空间和时间变化两者。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使所述硅晶片的经测量的特性与在所述制造工具内的硅晶片的处理时间和在所述制造工具内的硅晶片的处理位置之一或两者相关联以提供相对于所述制造工具的操作的所述经测量的特性的空间变化、时间变化或者空间和时间变化两者的指示。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括显示所述制造操作的一个或多个方面。

5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括显示相对于在批处理操作期间同时能够保持多个硅晶片的所述制造工具的位置的所述制造工具的性能的变化，所述性能的变化基于相对于所述制造工具的操作的所述经测量的特性的空间变化的所述指示。

6.根据权利要求3所述的方法，进一步包括基于在处理期间在制造工具内的硅晶片的所述空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者的变化来确定所述制造工具的操作特性。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造工具为批次制造工具或线式制造工具。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造工具为批次扩散炉、抗反射涂覆工具、或湿式化学系统。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括追踪通过多个制造操作的晶片，所述追踪包括为硅晶片各自提供用于处理所述硅晶片各自的制造工具的历史的指示、以及在处理期间在制造工具内的硅晶片各自的空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者的指示。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片的特性对应于指示硅晶片的制造品质的品质关键性(CTQ)参数。

11.用于在光伏产品中使用的硅电池的制造期间的品质监控的系统，所述系统包括：

晶片测量模块，其配置为在制造操作后测量多个硅晶片的特性，所述制造操作对应于通过用于执行具体制造步骤的制造工具的处理；

晶片追踪模块，其配置为确定在处理期间在制造工具内的硅晶片的空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者；和

操作员界面模块，其配置为基于硅晶片的经测量的特性提供信息的图形化显示，所述信息根据空间次序、时间次序、或空间次序和时间次序两者空间地排列在图形显示上。

12.根据权利要求11所述的系统，其中基于硅晶片的经测量的特性的所述信息指示所述制造工具的一个或多个操作特性。

13.根据权利要求11所述的系统，进一步包括制造性能监控模块，其配置为使所述硅晶片的经测量的特性与在所述制造工具内的硅晶片的处理时间和在所述制造工具内的硅晶片的处理位置之一或两者相关联以提供相对于所述制造工具的操作的所述经测量的特性的空间变化、时间变化或者空间和时间变化两者的指示。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述操作员界面模块进一步配置为显示所述制造操作的一个或多个方面。