[发明专利]切割芯片接合片有效
申请号: | 201580067876.0 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN107004590B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 吾妻祐一郎;佐伯尚哉 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/30;C09J7/20;C09J11/06;C09J201/00;H01L21/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 芯片 接合 | ||
本发明提供一种切割芯片接合片,其具有基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层,所述粘接剂层的所述染料的含量为8.3质量%以下,所述基材与所述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差为30~53。
技术领域
本发明涉及在基材上具备粘接剂层的切割芯片接合片。
本申请主张基于2014年12月15日在日本申请的日本特愿2014-253241号的优先权,并在此引用其内容。
背景技术
在基材上具备粘接剂层的切割芯片接合片可用于从半导体晶片的切割起、经过半导体芯片的拾取、直至将拾取的半导体芯片粘接于基板、引线框、其它半导体芯片等的工序中。
对于这样的片而言,粘接剂层通常是无色透明的,因此,在对片进行预切割加工时、进行半导体芯片的芯片接合时难以探测粘接剂层是否处于粘接于半导体晶片、半导体芯片等粘接对象的状态。如果粘接剂层未粘接于希望的部位,则在半导体装置的制造工序中会发生不良情况。另外,在通过隐形切割(stealth dicing)、冷扩片(cool expand)使粘接剂层切断时,由于粘接剂层是无色透明的,因此,无法容易地确认是否已可靠地切断,半导体装置的制造效率降低。
在半导体装置的制造工序中,粘接剂层的检测例如可以使用能够检测出290~450nm波长区域的光的光学传感器来进行,但随着粘接剂层的薄层化,其检测也变得更加困难。
其中,作为易于检测的粘接剂层,公开了含有吸收或反射波长区域在290~450nm范围内的光的颜料(参照专利文献1)。
这样的粘接剂层通过含有颜料而被着色,可以通过肉眼观察容易地确认其有无。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-059917号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,专利文献1中记载的粘接剂层由于含有颜料,在厚度薄的情况下,有时产生凝聚物、颜色不均,在最终得到的半导体封装中产生裂纹,存在可靠性降低的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其课题在于提供一种易于确认是否存在粘接剂层及其状态、且能够获得可靠性高的半导体封装的切割芯片接合片。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述课题,本发明提供一种切割芯片接合片,其具有基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层,所述粘接剂层的所述染料的含量为8.3质量%以下,所述基材与所述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差为30~53。
本发明的切割芯片接合片的所述染料可以是二偶氮染料。
本发明的切割芯片接合片的所述染料可以是在其结构中不含金属原子或金属离子的染料。
发明效果
根据本发明,可以提供一种易于确认是否存在粘接剂层及其状态、且可以获得可靠性高的半导体封装的切割芯片接合片。
具体实施方式
<<切割芯片接合片>>
本实施方式的切割芯片接合片的特征在于,其具备基材、和形成在基材上的含有染料的粘接剂层,其中,上述粘接剂层的上述染料的含量为8.3质量%以下,上述基材与上述粘接剂层之间的L*a*b*表色系统的色差(以下有时简称为“ΔE”)为30~53。
在本说明书中,上述L*、a*及b*为按照JIS Z8781-4:2013计算出的值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造