[发明专利]使用有金属氧化物微粒作为变色层的等离子体处理检测指示器

说明书

本发明提供一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，且可将因等离子体处理所导致的变色层气体化或形成微细碎屑而飞散的问题，抑制到不影响电子设备特性的程度，并且，具有良好的耐热性。具体而言，本发明提供一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其特征在于，所述变色层含有金属氧化物微粒，所述金属氧化物微粒含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi组成的组中的至少一种元素，且平均粒径为50μm以下。

技术领域

本发明特别涉及一种作为有效用作在电子设备制造装置中所使用的指示器的、使用有金属氧化物微粒作为变色层的等离子体处理检测指示器。

背景技术

以往，电子设备的制造工序中，对电子设备基板(被处理基板)进行各种处理。例如，电子设备为半导体时，投入半导体晶圆(晶圆)后，经过形成绝缘膜或金属膜的成膜工序、形成光刻胶图案的光蚀刻工序、使用光刻胶图案对膜进行加工的蚀刻工序、在半导体晶圆上形成导电层的杂质添加工序(另外称为掺杂或扩散工序)、研磨具有凹凸的膜的表面使其平坦的CMP工序(化学性机械性研磨)等，进行确认图案的完成或电特性的半导体晶圆电特性检查(有时将至此的工序总称为前工序)。接着，移至形成半导体芯片的后工序。这样的前工序，不仅限于电子设备为半导体的情况，同样也应用在制造其他电子设备(发光二极管(LED)、太阳能电池、液晶显示器、有机EL(Electro-Luminescence)显示器等)上。

在前工序中，除了上述的工序以外，还包括利用等离子体、臭氧、紫外线等的清洗工序；利用等离子体、含自由基的气体等进行的光刻胶图案的去除工序(也称为灰化或灰化去除)等工序。此外，在上述成膜工序中，有在晶圆表面使反应性气体发生化学反应而成膜的CVD、或形成金属膜的溅射等，此外，上述蚀刻工序中，可列举出：利用在等离子体中的化学反应进行的干式蚀刻、利用离子束进行的蚀刻等。在此，等离子体是指气体呈电离状态，离子、自由基及电子存在于其内部。

在电子设备的制造工序中，为了确保电子设备的性能、信赖性等，需要适当地进行上述的各种处理。因此，例如，在以成膜工序、蚀刻工序、灰化工序、杂质添加工序、清洗工序等为代表的等离子体处理中，为了确认等离子体处理的完成，实施：使用分光装置的等离子体的发光分析、使用有具有在等离子体处理氛围下变色的变色层的等离子体处理检测指示器的结束确认等。

作为等离子体处理检测指示器的例子，专利文献1中公开了一种等离子体处理检测油墨组合物，其含有：1)蒽醌类色素、偶氮类色素及酞菁类色素中的至少1种，以及2)粘合剂树脂、阳离子型表面活性剂及增量剂中的至少1种，其特征在于：所述等离子体处理中所使用的用于产生等离子体的气体，含有氧气及氮气中的至少1种；并且，还公开了一种等离子体处理检测指示器，其在基材上形成有由该油墨组合物形成的变色层。

此外，专利文献2中公开了一种等离子体处理检测油墨组合物，其为含有：1)蒽醌类色素、偶氮类色素及次甲基类色素中的至少1种；以及2)粘合剂树脂、阳离子型表面活性剂及增量剂中的至少1种的惰性气体，其特征在于：所述惰性气体含有选自由氦、氖、氩、氪及氙组成的组中的至少1种；并且，还公开了一种等离子体处理检测指示器，其在基材上形成有由该油墨组合物形成的变色层。