[发明专利]使用有金属氧化物微粒作为变色层的等离子体处理检测指示器

权利要求书

1.一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其中，所述变色层含有金属氧化物微粒作为变色材料，所述金属氧化物微粒含有选自由Mo、W、V、Ce、Te及Bi组成的组中的至少一种元素，且平均粒径为50μm以下。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述金属氧化物微粒为选自由MoO₂微粒、MoO₃微粒、WO₃微粒、VO微粒、V₂O₃微粒、VO₂微粒、V₂O₅微粒、CeO₂微粒、TeO₂微粒及Bi₂O₃微粒组成的组中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述金属氧化物微粒为选自由MoO₃微粒、WO₃微粒、V₂O₃微粒、V₂O₅微粒及Bi₂O₃微粒组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理检测指示器，其为在电子设备制造装置中使用的指示器。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述指示器的形状与在所述电子设备制造装置中所使用的电子设备基板的形状相同。

6.根据权利要求4或5所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述电子设备制造装置，进行选自由成膜工序、蚀刻工序、灰化工序、杂质添加工序及清洗工序组成的组中的至少一种的等离子体处理。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理检测指示器，其具有不因等离子体处理而变色的非变色层。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理检测指示器，其中，所述非变色层含有选自由TiO₂、ZrO₂、Y₂O₃、硫酸钡、氧化镁、二氧化硅、氧化铝、铝、银、钇、锆、钛、铂组成的组中的至少一种。

9.根据权利要求7或8所述的等离子体处理检测指示器，其具有支撑所述变色层的基材，所述基材上依次形成有所述非变色层及所述变色层，所述非变色层邻接形成于所述基材的主面上，所述变色层邻接形成于所述非变色层的主面上。