[发明专利]用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件有效

专利信息
申请号: 201580062456.3 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN107210350B 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 成演国 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L25/075;F21S4/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;刘铮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 水平 排列 组件 超小型 发光二极管 元件 制造 方法 包括
【说明书】:

本发明涉及一种用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件,更详细地,涉及通过制造使超小型发光二极管元件沿长度方向横放并连接到电极线的水平排列组件来能够可实现显著增加连接到电极线的超小型发光二极管元件的数量,更易于排列元件,由于电极与元件之间电连接非常良好而发射显著优良的光量的水平排列组件的用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件。

技术领域

本发明涉及一种用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件,更详细地,涉及通过制造使超小型发光二极管元件沿长度方向横放并连接到电极线的水平排列组件来能够实现显著增加连接到电极线的超小型发光二极管元件的数量,更易于排列元件,由于电极与元件之间电连接非常良好而发射显著优良的光量的水平排列组件的用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件。

背景技术

随着1992年日本日亚化学工业的中村等人适用低温的氮化嫁 (GaN)化合物缓冲层来成功融合出优质的单晶体氮化嫁氮化物半导体,使发光二极管的开发变得活跃。发光二极管作为利用化合物半导体的特性来使多个载体为电子的n型半导体结晶和多个载体为空穴的P型半导体结晶相互接合的半导体,是将电信号变换为具有所需区域的波段的光来显现的半导体元件。关于上述发光二极管,韩国公开专利公报第2009-0121743号公开了发光二极管的制造方法和使用其制造的发光二极管。

由于这种发光二极管半导体的光变换效率高,因此能量消耗非常少,而且上述发光二极管半导体还具有半永久性寿命并且环保,从而作为绿色材料来被誉为光的革命。近年来,随着化合物半导体技术的发展,开发出高亮度红色、澄色、绿色、蓝色及白色发光二极管,上述发光二极管应用于信号灯、手机、汽车前照灯、室外电子屏幕、液晶显示器背光模组(LCDBLU,liquid crystal display back light unit),还应用于室内外照明等多个领域,而且在国内外持续进行对上述发光二极管的研究。尤其,具有较宽带隙的氮化嫁类化合物半导体为用于制造放射绿色、蓝色还有紫外线区域的光的发光二极管半导体的物质,可利用蓝色发光二极管元件制造白色发光二极管元件,从而正在对此进行很多研究。

在这一系列研究中,对利用将发光二极管制成纳米或微米尺寸的超小型发光二极管元件进行了积极的研究,并且在照明和显示器等上应用这种超小型发光二极管元件的研究仍在继续。在这些研究中,持续受到关注的部分涉及可对超小型发光二极管元件施加电源的电极、应用目的及用于减少电极所占空间等的电极布置、在所布置的电极上安装超小型发光二极管的方法等。

其中,在所布置的电极上安装超小型发光二极管的方法仍然存在由于超小型发光二极管元件的大小受到限制而在电极上难以以所需的方式布置并安装超小型发光二极管元件的难点。这是因为,由于超小型发光二极管元件是纳米级或微米级而无法用人手一一地将超小型发光二极管元件布置并安装在目标电极区域。

并且,即使将超小型发光二极管元件安装在目标电极区域上,也很难以所需方式调节包含在单位电极区域中的超小型发光二极管元件的数量、超小型发光二极管元件与电极之间的位置关系等,而且,当在二维平面上排列发光二极管元件时,每个单位面积所包含的发光二极管元件的数量受到限制,从而无法获得良好的光量。进而,不是连接到两个不同电极的整个超小型发光二极管元件都没有电路短路等不良地可发光,因此,很难获得所需的光量。

因此,迫切需要实现一种超小型发光二极管元件,所述超小型发光二极管元件可以在目标电极区域更容易安装沿长度方向横放的超小型发光二极管元件,由于所安装的元件的排列性得到提高而能够显著增加电极线的每单位面积所包含的发光二极管元件的数量,还可大大提高发光二极管元件与电极之间的电连接性。

发明内容

发明要解决的问题

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