[发明专利]氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件以及电子装置有效
申请号: | 201580062190.2 | 申请日: | 2015-10-05 |
公开(公告)号: | CN107004606B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 下田达也;井上聪;深田和宏;西冈圣司;藤本信贵;铃木正博 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;C23C18/12;H01L21/288;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 龚敏;王刚 |
地址: | 日本国石川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 前驱 半导体 元件 以及 电子 装置 | ||
本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量%以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中,分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示,可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。
技术领域
本发明涉及氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置以及氧化物层的制造方法及半导体元件的制造方法。
背景技术
以往,作为电子装置一例的薄膜晶体管的通道层,主要使用多晶硅膜或非晶硅膜。然而,多晶硅膜的情况,因在多晶粒子界面发生的电子散射,导致电子迁移率受限制,结果晶体管特性发生变动。另外,非晶硅膜的情况,存在电子迁移率极低,元件随时间而劣化,元件可靠度极低这样的问题。所以,聚焦关注于电子迁移率高于非晶硅膜、且与多晶硅膜相比晶体管特性变动少的氧化物半导体。另外,因为不仅氧化物半导体,而且由氧化物构成的氧化物导电体或氧化物绝缘体也是例如仅基于氧化物的电子装置的实现所不可或缺技术要件,因而产业界对上述氧化物的关注极高。
最近,正盛行尝试利用印刷法等低能量制造工艺在挠性树脂基板上制作电子装置。通过采用印刷法等,可直接在基板上将半导体层图案化,结果具有能省略用以施行图案化的蚀刻处理步骤的优点。
例如,如专利文献1~3所记载,进行了使用导电性高分子、有机半导体等制作涂布挠性电子装置的尝试。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-134547号公报
专利文献2:日本特开2007-165900号公报
专利文献3:日本特开2007-201056号公报
非专利文献
非专利文献1:SID 2015DIGEST,p.1135
发明内容
本发明所要解决的课题
各种形态信息终端和信息家电被产业界及消费者需求的过程中,半导体需要更高速作动、长时间稳定,且是低环境负载。然而,在以往技术中,通常采用例如使用真空工艺、光刻法的工艺这样的需要较长时间和/或高价设备的工艺,因此原材料、制造能量的使用效率非常差。此情况就从工业性到量产性的观点出发是非优选的。另一方面,现状下,针对至今作为主流使用的硅半导体或其他半导体,极难利用凹版印刷、网版印刷、平版印刷、喷墨印刷等印刷法形成层。另外,即便采用专利文献1~3所记载的导电性高分子、有机半导体等的情况,其电气物性及稳定性仍不充分。另外,本申请中的“层”不仅局限于“层”,还包含“膜”的概念。反之,本申请的“膜”并不仅局限于“膜”,还包含“层”的概念。
然而,从电子装置的挠性化、及上述工业性到量产性的观点出发,目前,产业界极力聚焦于利用上述各种印刷法进行层形成、以及使用功能性溶液或功能性糊状物制造的各种半导体元件及电子装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社,未经国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580062190.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造