[发明专利]氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件以及电子装置

权利要求书

1.一种氧化物的前驱体，在含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物，所述粘结剂可含不可避免的杂质，

所述构成粘结剂的脂肪族聚碳酸酯中，分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上，

所述构成粘结剂的脂肪族聚碳酸酯满足：在使用TA Instruments公司制流变仪AR-2000EX测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中沉入聚四氟乙烯制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)值为0.25mm^-1Pa^-1以上。

2.根据权利要求1所述的氧化物的前驱体，其中，在所述溶液配置于基材上之后经30秒后，所述溶液相对于基材的接触角为30°以上且36°以下，或者在所述溶液配置于基材上之后经120秒后，所述溶液相对于基材的接触角为26°以上且32°以下。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物的前驱体，其中，所述脂肪族聚碳酸酯是使环氧化物与二氧化碳聚合得到的脂肪族聚碳酸酯。

4.根据权利要求1或2所述的氧化物的前驱体，其中，所述脂肪族聚碳酸酯是选自聚碳酸亚乙酯及聚碳酸亚丙酯所构成的组中的至少一种。

5.一种氧化物层，其通过对氧化物的前驱体的层进行煅烧而形成，所述氧化物的前驱体是在含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，分散被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述粘结剂可含不可避免的杂质，

所述构成粘结剂的脂肪族聚碳酸酯中，分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上，

所述构成粘结剂的脂肪族聚碳酸酯满足：在使用TA Instruments公司制流变仪AR-2000EX测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中沉入聚四氟乙烯制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)值为0.25mm^-1Pa^-1以上。

6.根据权利要求5所述的氧化物层，其中，在所述溶液配置于基材上之后经30秒后，所述溶液相对于基材的接触角为30°以上且36°以下，或者在所述溶液配置于基材上之后经120秒后，所述溶液相对于基材的接触角为26°以上且32°以下。

7.一种半导体元件，具备权利要求5或6所述的氧化物层。

8.一种电子装置，具备权利要求5或6所述的氧化物层或权利要求7所述的半导体元件。

9.一种氧化物层的制造方法，包括：

前驱体层形成步骤，利用印刷法形成氧化物的前驱体的层，所述氧化物的前驱体是：在含有由脂肪族聚碳酸酯所构成的粘结剂的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物得到的物质，所述粘结剂可含不可避免的杂质；以及

煅烧步骤，对所述前驱体的层进行煅烧，

所述构成粘结剂的脂肪族聚碳酸酯中，分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯的比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上，

所述构成粘结剂的脂肪族聚碳酸酯满足：在使用TA Instruments公司制流变仪AR-2000EX测定到的零剪切粘度η的脂肪族聚碳酸酯的积存物中沉入聚四氟乙烯制的直径D的圆柱棒之后，将所述圆柱棒以速度v提起时，测定距所述脂肪族聚碳酸酯的积存物的最外表面的牵丝长L时，L/(D×v×η)值为0.25mm^-1Pa^-1以上。

10.一种半导体元件的制造方法，包括：

权利要求9所述的前驱体层形成步骤和煅烧步骤。

11.一种电子设备的制造方法，包括：

权利要求9所述的前驱体层形成步骤和煅烧步骤。