[发明专利]太阳能电池及太阳能电池模组

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池及太阳能电池模组。

背景技术

太阳能电池用半导体基板通常利用提拉法(Czochraski method，CZ法)制造，所述CZ法能够用相对低的成本来制造大直径的单晶。例如，通过利用CZ法制作掺有硼的单晶硅，并将此单晶切成薄片，能够获得P型半导体基板。

单晶硅太阳能电池(使用单晶硅基板的太阳能电池)的以往的结构是一种整个背面(与受光面相对的表面)隔着背面场(Back Surface Field，BSF)结构而与电极接触的结构。

上述BSF结构利用丝网印刷法能够很容易地制造，因此，广泛普及，并成为当前的单晶硅太阳能电池的主流结构。

为了进一步提高效率，对上述BSF结构导入钝化发射极背面接触太阳能电池(Passivated Emitter and Rear Contact Solar Cell，PERC)结构、钝化发射极背面局部扩散太阳能电池(Passivated Emitter and Rear Locally Diffused Solar Cell，PERL)结构。

上述PERC结构及PERL结构是积极地减小背面侧的少数载流子再结合比例，也就是降低背面侧的有效的表面再结合速率的方法之一。

图9是示意性表示以往的PERC型太阳能电池的剖面图。如图9所示，太阳能电池110在掺有硼的硅基板(以下也称为掺硼基板。)113的受光面侧具备N型层112。在此N型层112上具备受光面电极111。多数情况下，在受光面上设有受光面钝化膜115。另外，在背面上具备背面钝化膜116。另外，在背面上具备背面电极114。另外，掺硼基板113具有与背面电极114接触的接触区域117。

图10是示意性地表示以往的PERL型太阳能电池的剖面图。如图10所示，相对于上述太阳能电池110，太阳能电池110′在背面电极114的正下方(以背面电极114作为表面侧来观察时)具备P⁺层(也就是以比周围区域(P型硅基板)更高的浓度掺有P型掺杂剂的层)119。另外，也可以在受光面电极111的正下方具备N⁺层(也就是以比周围的N型层112更高的浓度掺有N型掺杂剂的层)118。其它构造与图9的具有PERC结构的太阳能电池相同，因此，省略说明。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第WO00/073542号小册子。

发明内容

发明所要解决的课题

根据将太阳能电池制成上述具有PERC结构或PERL结构的太阳能电池，即使减小背面侧的少数载流子再结合比例，但如果基板为掺硼基板，晶格之间残留的氧原子和硼原子也会因光键合，在基板块体内生成再结合能级，少数载流子寿命变短，太阳能电池的特性下降。这种现象还被称作使用掺硼基板的太阳能电池的光劣化。

PERC结构、PERL结构的太阳能电池将背面的电极局域化(局部化)。因此，在触点附近(也就是基板与背面电极接触的接触区域)产生电流集中，容易产生电阻损失，因此，如果为PERC结构、PERL结构的太阳能电池，最好将基板设为低电阻。但是，当采用低电阻基板的情况也就是含有更多硼原子的状况下，由于硼原子和氧原子的键合增加，因此，上述劣化(光劣化)变显著。

相反，在采用高电阻基板的情况下，上述劣化减轻。但是，如果为PERC结构、PERL结构的太阳能电池，如上所述，电流在背面触点附近集中，从而产生电阻损失，结果，在这种情况下特性也会下降。

为了抑制上述光劣化，在专利文献1中，提出有使用镓代替硼来作为P型掺杂剂。但是，仅使用掺有镓的硅基板(以下也称为掺镓基板)作为PERC结构或PERL结构的太阳能电池的基板，也不能充分抑制电阻损失。

本发明是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供一种太阳能电池及太阳能电池模组，该太阳能电池使用一种光劣化得到抑制的基板，且抑制电阻损失，转换效率优异。

解决课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种太阳能电池，其特征在于，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在前述背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，且前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，所述太阳能电池的特征在于，

前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，

前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，