[发明专利]太阳能电池及太阳能电池模组在审
| 申请号： | 201580061522.5 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107148680A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 大塚宽之 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艳,张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 模组 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能电池，具备P型硅基板，前述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在前述背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述太阳能电池的特征在于，
前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，
前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，
前述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]满足由下式(1)表示的关系，
log(Rsub)≦-log(Prm)+1.0…(1)。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，前述P型硅基板的电阻率为0.2Ω.cm以上。
3.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，前述多个背面电极的背面电极间距为10mm以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，其中，前述接触区域中的P型掺杂剂的浓度高于前述接触区域以外的区域中的P型掺杂剂的浓度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其中，前述接触区域的面积的总和为整个前述背面的20％以下。
6.一种太阳能电池模组，其特征在于，具备权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
