[发明专利]电路基板及其制造方法有效
| 申请号: | 201580060074.7 | 申请日: | 2015-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN107079594B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
| 发明(设计)人: | 高桥健;中岛崇裕;小野寺稔;原哲也 | 申请(专利权)人: | 株式会社可乐丽 |
| 主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 满凤;金龙河 |
| 地址: | 日本冈山*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 路基 及其 制造 方法 | ||
1.一种电路基板的制造方法,其包括:
准备多张至少一种热塑性液晶聚合物薄膜的工序;
在所述多张薄膜中的至少一张中在薄膜的单面或两面上形成导体层而制成单元电路基板的工序;
将包含所述单元电路基板的所述多张薄膜层叠而形成层叠体的工序;
将所述层叠体在加压下加热至产生层间胶粘的第一温度而进行一体化的热压接工序;和
在所述第一温度下的加热后,将所述层叠体在比所述第一温度低、且比所述多张热塑性液晶聚合物薄膜中熔点最低的热塑性液晶聚合物薄膜的熔点低的第二温度下进行加热而进行规定时间的结构控制热处理的工序,
进行所述结构控制热处理的工序包含在所述热压接工序中,在对层叠体进行加压的同时进行结构控制热处理。
2.根据权利要求1所述的电路基板的制造方法,其中,将层叠体中熔点最低的热塑性液晶聚合物薄膜的熔点设为TmL时,热压接时的第一温度为(TmL-35)~(TmL+20)℃,结构控制热处理时的第二温度为(第一温度-10)℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,第二温度下的结构控制热处理时间为15分钟~90分钟。
4.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,从第一温度至第二温度,以1~8℃/分钟进行冷却。
5.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,热压接时的第一温度为270~320℃,结构控制热处理时的第二温度为260~290℃。
6.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,在所述层叠体的一部分,在包含热塑性液晶聚合物薄膜和形成在其单面或两面上的导体层的单元电路基板上直接层叠包含热塑性液晶聚合物薄膜和形成在其单面上的导体层的单元电路基板。
7.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,在所述层叠体的一部分,将两张包含热塑性液晶聚合物薄膜和形成在其单面或两面上的导体层的单元电路基板隔着包含热塑性液晶聚合物薄膜的粘结片进行层叠。
8.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,在形成所述导体层的工序中,将金属箔热压接到热塑性液晶聚合物薄膜上。
9.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,在准备热塑性液晶聚合物薄膜后,在选自形成导体层之前的阶段、在形成热塑性液晶聚合物薄膜并在其单面或两面形成导体层后且层叠体形成前的阶段、和所述层叠体形成后加压前的阶段中的至少一个阶段中,通过在大气中或惰性气氛中在100~200℃的温度下保持规定时间、和/或在气压1500Pa以下的真空度下保持规定时间来进行脱气处理。
10.一种电路基板,其为通过权利要求1~9中任一项所述的方法制造的电路基板,其中,具备具有多张热塑性液晶聚合物薄膜和至少一张导体层的层叠结构,在所述层叠结构的至少一部分包含电路经加工的导体层被夹在两张热塑性液晶聚合物薄膜的层间的结构。
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