[发明专利]等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件及工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法

权利要求书

1.一种等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，作为暴露于等离子体的半导体或显示器制造设备工艺部件，其特征在于，在除去部分或全部谷和峰的状态的工艺部件本体表面形成陶瓷涂敷膜，除去存在于上述涂敷膜表面的部分或全部谷和峰，以在表面粗糙度测定区间内由从与峰和谷的面积变相同的中心线平行的任意基准线至上述表面粗糙度测定区间内最低的5个谷V1、V2、V3、V4、V5的距离平均值(V1+V2+V3+V4+V5)/5与至最高的5个峰P1、P2、P3、P4、P5的距离平均值之差的绝对值[(P1+P2+P3+P4+P5)/5-(V1+V2+V3+V4+V5)/5]表示的表面粗糙度Rz值小于5.0μm。

2.根据权利要求1所述的等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，其特征在于，上述涂敷膜由氧化钇、氟化钇、氧化钇稳定氧化锆、Y₄Al₂O₉、钇铝石榴石及铝酸钇中的一种以上形成。

3.根据权利要求1所述的等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，其特征在于，上述涂敷膜无气孔及龟裂。

4.根据权利要求1所述的等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，其特征在于，上述涂敷膜表面粗糙度Rz值小于2.0μm。

5.根据权利要求1所述的等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，其特征在于，当根据相对亮度将与上述涂敷膜表面相关的光学显微镜照片区分为明部及暗部时，以上述暗部面积为基准，使得明部面积达到10％以上。

6.根据权利要求5所述的等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，其特征在于，当根据相对亮度将与上述本体表面相关的光学显微镜照片区分为明部及暗部时，以上述暗部面积为基准，使得明部面积达到10％以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，其特征在于，上述工艺部件由陶瓷、石英、金属材料、聚合物中的一种以上形成。

8.一种工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法，作为提高暴露于等离子体的半导体或显示器制造设备工艺部件的等离子体耐蚀刻性的方法，其特征在于，包括：

步骤(a)，准备工艺部件；

步骤(b)，从上述工艺部件本体表面除去部分或全部谷和峰，以在表面粗糙度测定区间内由从与峰和谷的面积变相同的中心线平行的任意基准线至上述表面粗糙度测定区间内最低的5个谷V1、V2、V3、V4、V5的距离平均值与至最高的5个峰P1、P2、P3、P4、P5的距离平均值之差的绝对值[(P1+P2+P3+P4+P5)/5-(V1+V2+V3+V4+V5)/5]表示的表面粗糙度Rz值小于5.0μm；

步骤(c)，在上述工艺部件本体表面形成陶瓷涂敷膜；以及

步骤(d)，从上述涂敷膜表面除去部分或全部谷和峰。

9.根据权利要求8所述的工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法，其特征在于，在上述步骤(d)中，上述涂敷膜表面粗糙度Rz值小于2.0μm。

10.根据权利要求8所述的工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法，其特征在于，在上述步骤(b)中，根据相对亮度将与上述涂敷膜表面相关的光学显微镜照片区分为明部及暗部，以上述暗部面积为基准，使得明部面积达到10％以上，在上述步骤(d)中，根据相对亮度将与上述本体表面相关的光学显微镜照片区分为明部及暗部，以上述暗部面积为基准，使得明部面积达到10％以上。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法，其特征在于，作为从上述工艺部件本体表面和涂敷膜表面除去谷和峰的方法，适用切削、磨削、刷光、抛光、研磨、化学研磨中的一种以上方法。

12.根据权利要求8所述的工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法，其特征在于，在上述步骤(c)中，在0～60℃及真空条件下，喷射氧化钇、氟化钇、氧化钇稳定氧化锆、Y₄Al₂O₉、钇铝石榴石及铝酸钇中的一种或混合两种以上的陶瓷粉末来形成涂敷膜。