[发明专利]用于组合来自多个计量工具的原始数据的系统、方法及计算机程序产品

权利要求书

1.一种计量方法，其包括：

通过计算机系统识别通过第一半导体制造工艺制造的培训晶片；

通过所述计算机系统获得关于所述培训晶片的至少一个参数的预定义参考值；

利用包括第一硬件配置的第一计量工具通过所述计算机系统从所述培训晶片收集关于所述培训晶片的所述至少一个参数的第一组信号，利用所述第一计量工具收集所述第一组信号通过以下执行：

所述第一计量工具中的光源将光引导朝向所述培训晶片的一个或多个区域，以及

所述第一计量工具中的检测器接收从所述培训晶片的所述一个或多个区域反射的光，产生响应于所接收光的所述第一组信号，且将所述第一组信号输出到所述计算机系统；

利用不同于所述第一计量工具的第二计量工具通过所述计算机系统从所述培训晶片收集关于所述培训晶片的所述至少一个参数的第二组信号，所述第二计量工具包括不同于所述第一硬件配置的第二硬件配置，利用所述第二计量工具收集所述第二组信号通过以下执行：

所述第二计量工具中的光源将光引导朝向所述培训晶片的所述一个或多个区域，以及

所述第二计量工具中的检测器接收从所述培训晶片的所述一个或多个区域反射的光，产生响应于所接收的光的所述第二组信号，且将所述第二组信号输出到所述计算机系统；

通过所述计算机系统将所述第一组信号及所述第二组信号中的每一者的至少一部分变换为第三组信号；

针对所述培训晶片的所述至少一个参数中的每一者，通过所述计算机系统确定所述第三组信号与所述参考值之间的对应关系；

针对所述培训晶片的所述至少一个参数中的每一者，通过所述计算机系统基于所确定的对应关系而创建培训模型；

利用至少所述第一计量工具及所述第二计量工具通过所述计算机系统从通过所述第一半导体制造工艺或第二半导体制造工艺制造的目标晶片收集信号，利用所述第一计量工具收集所述信号由以下执行：

所述第一计量工具中的所述光源将光引导朝向所述目标晶片的一个或多个区域，以及

所述第一计量工具中的所述检测器接收从所述目标晶片的所述一个或多个区域反射的光，产生响应于所接收的光的所述信号的第一部分，且将所述信号的所述第一部分输出到所述计算机系统，以及

利用所述第二计量工具收集所述信号由以下执行：

所述第二计量工具中的所述光源将光引导朝向所述目标晶片的一个或多个区域，以及

所述第二计量工具中的所述检测器接收从所述目标晶片的所述一个或多个区域反射的光，产生响应于所接收的光的所述信号的第二部分，且将所述信号的所述第二部分输出到所述计算机系统；

通过所述计算机系统将每一所创建培训模型应用于从所述目标晶片收集的所述信号，测量所述目标晶片的维度方面的参数值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标晶片与所述培训晶片相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述培训晶片是不同于所述目标晶片的实验设计晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述培训晶片的所述至少一个参数包含几何参数、材料组成参数、过程参数或叠对参数中的至少一者。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述培训晶片的所述至少一个参数包含过程参数，且其中所述过程参数是焦点参数及剂量参数中的一者。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述培训晶片的所述至少一个参数包含几何参数，且其中所述几何参数是临界尺寸、侧壁角度及轮廓高度中的一者。

7.根据权利要求1所述的方法，其中利用临界尺寸扫描电子显微术CD-SEM、透射电子显微术TEM及原子力显微术AFM中的至少一者来获得所述参考值。