[发明专利]用于改善具有敏感层及反应层的膜堆叠物的方法与结构

权利要求书

1.一种缓冲结构，包含：

含磷层，所述含磷层被沉积在硅基板上方；

含GaAs层，所述含GaAs层被沉积在所述含磷层上；及

含铝层，所述含铝层被沉积在所述含GaAs层上。

2.如权利要求1所述的缓冲结构，其中所述含磷层是InP。

3.如权利要求2所述的缓冲结构，其中所述含GaAs层是InGaAs。

4.如权利要求3所述的缓冲结构，其中所述含铝层是InAlAs。

5.如权利要求1所述的缓冲结构，其中所述含铝层具有小于的均方根粗糙度。

6.如权利要求1所述的缓冲结构，其中所述含磷层具有范围从约105nm至约660nm的厚度。

7.如权利要求1所述的缓冲结构，其中所述含GaAs层具有范围从约10nm至约50nm的厚度。

8.如权利要求1所述的缓冲结构，其中所述含铝层具有范围从约20nm至约100nm的厚度。

9.一种半导体装置，包含：

缓冲结构，所述缓冲结构包括：

InP层，所述Inp层被沉积在硅基板上方；及

第一InGaAs层，所述第一InGaAs层被沉积在所述InP层上；及

InAlAs层，所述InAlAs层被沉积在所述第一InGaAs层上；及

活性层，所述活性层被沉积在所述缓冲结构上。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中所述活性层是第二InGaAs层。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其中所述活性层包括多个交替的III-V族半导体层。

12.如权利要求9所述的半导体装置，进一步包含设置在所述硅基板与所述InP层之间的GaAs层。

13.一种用以形成缓冲结构的方法，包含以下步骤：

沉积含磷层于硅基板上方；

沉积含GaAs层于所述含磷层上；及

沉积含铝层于所述含GaAs层上。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述含GaAs层是InGaAs层并且由金属氧化物化学气相沉积来沉积。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述含铝层是InAlAs层并且由金属氧化物化学气相沉积来沉积。