[发明专利]抑制了钴的损伤的半导体元件的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法

权利要求书

1.一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low-k膜)、和(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料，

所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。

2.根据权利要求1所述的清洗液，其中，所述碱金属化合物为选自由氢氧化锂、硫酸锂、碳酸锂、碳酸氢锂、硝酸锂、氟化锂、氯化锂、溴化锂、碘化锂、乙酸锂、氢氧化钠、硫酸钠、碳酸钠、碳酸氢钠、硝酸钠、氟化钠、氯化钠、溴化钠、碘化钠、乙酸钠、氢氧化钾、硫酸钾、碳酸钾、碳酸氢钾、硝酸钾、氟化钾、氯化钾、溴化钾、碘化钾、乙酸钾、氢氧化铯、硫酸铯、碳酸铯、碳酸氢铯、硝酸铯、氟化铯、氯化铯、溴化铯、碘化铯和乙酸铯组成的组中的至少1种以上。

3.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述过氧化物为选自由过氧化氢、过氧化脲、间氯过氧苯甲酸、叔丁基氢过氧化物、过氧乙酸、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酰、过氧化丙酮、过氧化甲乙酮、六亚甲基三过氧化物和氢过氧化枯烯组成的组中的至少1种以上。

4.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述防腐剂为选自由二胺化合物、烷醇胺化合物、吡唑化合物、咪唑化合物和三唑化合物组成的组中的至少1种以上。

5.根据权利要求4所述的清洗液，其中，所述二胺化合物为选自由1,2-丙二胺、1,3-丙二胺和1,4-丁二胺组成的组中的至少1种以上。

6.根据权利要求4所述的清洗液，其中，所述烷醇胺化合物为选自由2-氨基乙醇、2-甲基氨基乙醇、1-氨基-2-丙醇和1-氨基-3-丙醇组成的组中的至少1种以上。

7.根据权利要求4所述的清洗液，其中，所述吡唑化合物为选自由吡唑和3,5-二甲基吡唑组成的组中的至少1种以上。

8.根据权利要求4所述的清洗液，其中，所述咪唑化合物为选自由1-甲基咪唑、1-乙烯基咪唑和5-甲基苯并咪唑组成的组中的至少1种以上。

9.根据权利要求4所述的清洗液，其中，所述三唑化合物为选自由1,2,4-三唑、1,2,3-三唑和5-甲基-1H-苯并三唑组成的组中的至少1种以上。

10.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述碱土金属化合物为选自由钙化合物、锶化合物和钡化合物组成的组中的至少1种以上。

11.一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗方法，其对在具有低介电常数膜(Low-k膜)、和(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料的基板上形成硬掩模图案、接着以该硬掩模图案作为掩模对所述低介电常数膜(Low-k膜)实施干蚀刻处理而得到的半导体元件进行清洗，从而去除该半导体元件表面的干蚀刻残渣，其特征在于，使用权利要求1至10中任一项所述的清洗液。