[发明专利]多重图案化工艺的度量

权利要求书

1.一种度量方法，其包括：

为半导体晶片上的第一多个测量位点提供第一照明光量，其中所述第一多个测量位点中的每一者包含至少一个多重图案化度量目标，所述多重图案化度量目标以由多重图案化工艺中的至少两个图案化步骤产生的至少一个所关注参数为特征，其中通过所述多重图案化工艺制造的所述至少一个多重图案化度量目标中的间距是被用在所述多重图案化工艺中的光刻系统的光罩的多个间距，其中所述至少一个所关注参数指示由所述多重图案化工艺导致的几何误差，其中位于一或多个所述第一多个测量位点处的至少一个所述多重图案化度量目标不同于至少一个另一所述多重图案化度量目标；

响应于提供到所述半导体晶片上的所述第一多个测量位点中的每一者的所述第一照明光量而检测来自所述第一多个测量位点中的每一者的光量，经检测光量包括第一光学测量数据量；

接收与所述半导体晶片上的所述第一多个测量位点的测量相关联的所述第一光学测量数据量；

基于所述第一光学测量数据量及信号响应度量SRM模型确定与所述第一多个测量位点中的每一者相关联的所述至少一个所关注参数的值，其中所述SRM模型是将所接收光学测量数据与所述至少一个所关注参数的值直接相关的输入输出模型测量模型；及

将所述至少一个所关注参数的所述值存储于存储器中。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

接收与第二多个测量位点相关联的第二测量数据量，其中所述第二多个测量位点中的每一者包含以通过多重图案化工艺的至少两个图案化步骤产生的至少一个所关注参数为特征的多重图案化度量目标，其中在所述第二多个测量位点中的每一者处已知特征化所述多重图案化度量目标的所述至少一个所关注参数；

至少部分基于所述第二测量数据量确定所述SRM测量模型；及

至少部分基于所述至少一个所关注参数的已知值训练所述SRM测量模型。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二测量数据量与实验设计DOE晶片上的所述第二多个测量位点的测量相关联，且在所述第二多个测量位点中的每一者处通过参考测量系统测量特征化所述多重图案化度量目标的所述至少一个所关注参数。

4.根据权利要求2所述的方法，其中模拟所述第二测量数据量及在所述第二多个测量位点中的每一者处特征化所述多重图案化度量目标的所述至少一个所关注参数。

5.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

通过缩减所述第二测量数据量的维度而提取所述第二测量数据量的一或多个特征，且其中确定所述SRM测量模型是至少部分基于所述一或多个特征。

6.根据权利要求5所述的方法，其中缩减所述第二测量数据量的所述维度涉及主成分分析。

7.根据权利要求5所述的方法，其中缩减所述第二测量数据量的所述维度涉及从所述第二测量数据量的个别信号选择。

8.根据权利要求5所述的方法，其中缩减所述第二测量数据量的所述维度涉及非线性主成分分析。

9.根据权利要求5所述的方法，其中缩减所述第二测量数据量的所述维度涉及所述第二测量数据量的筛选。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRM测量模型是多目标模型。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一光学测量数据量包含标称度量目标及至少一个辅助度量目标的测量，其中所述标称度量目标及所述至少一个辅助度量目标两者各自以通过多重图案化工艺的至少两个图案化步骤产生的至少一个所关注参数为特征。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一个辅助度量目标的所关注参数的值不同于所述标称度量目标的所述所关注参数的值。