[发明专利]表面保护用片材有效
| 申请号: | 201580055315.9 | 申请日: | 2015-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN107078042B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 田村和幸;奥地茂人 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/304;B32B27/00;B32B27/18;C09J7/25 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 保护 用片材 | ||
本发明提供一种可抑制片材剥离后的晶圆弯曲,具有充分的抗静电性能的表面保护用片材。本发明的表面保护用片材,在进行表面形成有电路的半导体晶圆的背面研磨时使用,其中,该表面保护用片材具有:基材,其由抗静电涂层及支撑膜所构成,所述抗静电涂层含有无机导电性填料与固化性树脂(A)的固化物;及粘着剂层。在延展10%时经过1分钟后的基材的应力松弛率为60%以上,基材的杨氏模量为100~2000MPa。
技术领域
本发明涉及一种在表面形成有电路的半导体晶圆的背面研磨时被暂粘在该晶圆表面、为了保护电路图案而使用的表面保护用片材。
背景技术
近年来,随着电子仪器的小型化、高集成化,作为其构成构件的半导体晶片的薄型化正在发展。因此,要求将以往350μm左右的厚度的晶圆薄化成50~100μm或其以下。
以往以来,在半导体晶圆表面形成电路图案之后,将晶圆背面研磨。此时,在电路面粘贴被称为表面保护用片材的粘着片材,进行电路面的保护及晶圆的固定,而进行背面研磨。研磨时,为了去除产生的研磨屑及热,通常将水喷雾在晶圆的研磨面。
以往,对于表面保护用片材,使用在基材上涂敷粘着剂而成的粘着片材。在专利文献1中,通过使用应力松弛率高的表面保护用片材,防止晶圆在背面研磨后的弯曲。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-150432号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
但是,若使用专利文献1的表面保护用片材进行晶圆的背面研磨,则在将保护用片材从晶圆上剥离时,因剥离带电而产生静电,而存在对形成在晶圆表面的电路造成损伤的情况。近年来,形成在晶圆表面的电路,由于布线微细化而高密度化,因此,因剥离带电所产生的静电尤其成为问题。
作为防止如上所述的由剥离带电造成的静电的方法,考虑在表面保护用片材上形成抗静电涂层。但是,现状为不能得到充分的抗静电性能。
本发明的目的在于,提供一种可抑制片材剥离后的晶圆弯曲,具有充分的抗静电性能的表面保护用片材。
解决技术问题的技术手段
用于解决上述课题的本发明,包含以下的要点。
[1]一种表面保护用片材,其在进行表面形成有电路的半导体晶圆的背面研磨时使用,其中,
该表面保护用片材具有:基材,其由抗静电涂层及支撑膜所构成,所述抗静电涂层含有无机导电性填料与固化性树脂(A)的固化物;及粘着剂层,
在延展10%时经过1分钟后基材的应力松弛率为60%以上,
基材的杨氏模量为100~2000MPa。
[2]根据[1]所述的表面保护用片材,其中,相对于固化性树脂(A)的固化物100质量份,抗静电涂层含有150~600质量份的无机导电性填料。
[3]根据[1]或[2]所述的表面保护用片材,其中,支撑膜含有固化性树脂(B)的固化物。
[4]根据[3]所述的表面保护用片材,其中,固化性树脂(B)为能量线固化型含聚氨酯树脂。
[5]一种表面保护用片材的制造方法,其中,该方法具有:
将含有固化性树脂(B)的掺合物涂布于工序片材,进行预固化,以形成预固化层的工序;
将含有无机导电性填料与固化性树脂(A)的掺合物涂布于预固化层,以形成涂膜层的工序;及
使预固化层与涂膜层固化,以形成基材的工序。
发明效果
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580055315.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





