[发明专利]关于清洁离子源的方法和装置有效
| 申请号: | 201580054036.0 | 申请日: | 2015-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN107107127B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
| 发明(设计)人: | 马克·约翰·奎托斯 | 申请(专利权)人: | 克雷托斯分析有限公司 |
| 主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;H01J49/16 |
| 代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
| 地址: | 英国大曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 关于 清洁 离子源 方法 装置 | ||
一种清洁离子源的方法。该方法包括:在反光镜的第一反射面,将具有第一波长带内波长的光反射到离子源的表面上以使污染物材料从离子源的表面被解吸;在反光镜的第二反射面,将具有第二波长带内的波长并且来自离子源的表面的光反射向用于生成离子源的表面的图像的成像装置,其中具有第二波长带内波长的光在在反光镜的第二反射面上被反射之前穿过反光镜的第一反射面。
技术领域
本发明涉及关于清洁离子源的方法和装置。
背景技术
飞行时间(“TOF”)质谱是用于通过加速离子测量离子的质量/电荷比值以及测量其飞行至离子检测器的时间的分析技术。
基质辅助激光解吸/电离,常常被称为“MALDI”,是在其中通常激光器被用于在样品材料以及光吸收矩阵的(通常结晶的)混合物处发射光以电离样品材料的电离技术。与MALDI一起使用的样品材料典型地包括例如生物分子(例如蛋白质)的分子,大的有机分子和/或聚合物。光吸收矩阵通常被用于保护这种分子避免被来自激光器的光损害或者破坏。产生的典型地具有几千道尔顿质量的离子,然后被加速至高动能,典型的大约20千电子伏。通常,被配置以通过MALDI产生离子的离子源被称为“MALDI离子源”。MALDI离子源典型地包括用于通过在样品材料以及光吸收矩阵的混合物处发射光来电离样品材料的激光器。
通常,当MALDI离子源在使用时,MALDI离子源的激光器在包含在样品点中的样品材料以及光吸收矩阵的混合物处发射(例如UV)光脉冲以从样品点喷射一缕缕电离和非电离的(即中性的)样品材料(分析物)以及光吸收矩阵。包含在该喷流中的电离材料(大部分样品材料的离子以及一些光吸收矩阵的离子)将通常通过由一个或多个MALDI离子源的电极产生的电场被引导/加速以便穿过电极中的缝隙,例如用于随后的通过离子检测器的检测。然而,包含在该喷流中的非电离材料(大部分非电离的光吸收矩阵以及一些非电离的样品材料)将通常继续从样品点发散直到其沉积在离子源附近的表面上,例如MALDI离子源的电极的表面。
随着时间的过去,非电离材料在样品点附近的表面上,尤其是在MALDI离子源的电极的表面上,积累以形成可能随着时间充电并不利地影响MALDI离子源操作的污染物材料的绝缘层。特别地,在电极上的污染物材料的绝缘层可以扭曲通过电极产生的电场以至于降低了使用MALDI离子源的质谱仪的灵敏性或者分辩率。此时MALDI离子源的电极将通常需要清洁。
多年以来清洁MALDI离子源电极的主要方法是给包含电极的抽成真空的壳体开孔并打开抽成真空的壳体以允许电极在原位置被清洁或者完全移开用于彻底的清洁。在两种情形下,除了清洁时间,通常需要几个小时来对MALDI离子源的壳体(曾经被封闭)恢复真空并进行高压调节、通常对MALDI离子源用于质谱分析所必需的仪器调整以及质量校准程序。
在许多应用中(例如生物化学)存在对目前可以通过能够以1千赫兹或以上的重复率运行的MALDI离子源的引进而实现的更高处理量质谱仪的日益增长的需求。这提高了堆积在MALDI离子源电极上的污染的速率,以及其必须被清洁的频率,到如此程度以至于每次其电极需要清洁时给MALDI离子源开孔已通常是不实际的。
这些考虑使找到清洁MALDI离子源电极而不需要给MALDI离子源的抽成真空的壳体开孔的有效方法是合乎需要的。
不同的方法被考虑以清洁MALDI离子源的电极而不需要给MALDI离子源的抽成真空的壳体开孔。一些诸如此类的方法例如在GB2486628的背景部分被描述。
在GB2486628的主要部分中,提出有通过将UV光导向表面以至于污染物材料从表面解吸来清洁离子源的至少一个表面的方法。以这种方式,离子源的至少一个表面可以以简单的方式被清洁,而不必显著地加热表面并且不必给离子源的抽成真空的壳体开孔。
本发明人发现虽然GB2486628中提出的方法运作良好,但GB2486628中提出的清洁方法的有效性在相对少的数量的清洁周期之后可能开始劣化。该问题在下面更详细地描述(参考图2和图3)。
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