[发明专利]具有分布式替换字线的存储器

说明书

存储器包括散布在多条字线之间的多条替换字线。存储器还包括字线控制电路，该字线控制电路被配置为基于多条字线中的字线的位置向不同的字线施加不同的电压，并且用替换字线替换多条字线中的有缺陷字线。

对相关申请的交叉引用

本申请请求2014年9月30日提交的美国优先权专利申请US14/502077的权益，将其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中所述的技术涉及用于存储数据的存储器，并且尤其涉及包括可以以与基于地址的电压补偿技术兼容的方式来替换一条或多条有缺陷字线的替换字线。

背景技术

用于存储数据的存储器通常具有以行和列布置的存储器单元阵列。字线沿着行延伸并且位线沿着列延伸，以连接到存储器单元。存在各种类型的存储器技术，包括各种类型的易失性存储器和非易失性存储器。

发明内容

一些实施例涉及一种存储器，所述存储器包括多个存储器单元、连接到所述多个存储器单元的多条位线、连接到所述多个存储器单元的多条字线以及散布在所述多条字线当中的多条替换字线。存储器还包括字线控制电路，该字线控制电路被配置为基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压。字线控制电路被配置为在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间向各条字线施加不同的电压。存储器单元连接到各条字线。字线控制电路被配置为用所述多条替换字线中的替换字线替换所述多条字线中的有缺陷字线。

一些实施例涉及一种操作存储器的方法，所述存储器包括多个存储器单元、连接到所述多个存储器单元的多条位线、连接到所述多个存储器单元的多条字线、散布在所述多条字线当中的多条替换字线以及字线控制电路。该方法包括在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间通过字线控制电路基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压。存储器单元连接到各条字线。该方法还包括用所述多条替换字线中的替换字线替换所述多条字线中的有缺陷字线。

一些实施例涉及一种存储器，所述存储器包括多个存储器单元、连接到所述多个存储器单元的多条位线以及连接到所述多个存储器单元的多条字线。所述多条字线包括第一组字线、第二组字线和第三组字线。存储器还包括多条替换字线，所述多条替换字线包括在第一组字线和第二组字线之间的至少一条第一替换字线以及在第二组字线和第三组字线之间的至少一条第二替换字线。存储器还包括字线控制电路，所述字线控制电路被配置为基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压。字线控制电路被配置为在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间向各条字线施加不同的电压。存储器单元连接到各条字线。字线控制电路被配置为用至少一条第一替换字线中的替换字线替换第一组或第二组中的有缺陷字线。

通过说明的方式提供前述发明内容，并且前述发明内容不是旨在限制。

附图说明

在附图中，在各个图中示出的每个相同或近似相同的部件由相似的标号表示。为了清楚起见，可能并非在每个附图中都对每个部件进行标记。

图1示出根据一些实施例的存储器的示例。

图2A示出根据一些实施例的存储器单元的示例。

图2B示出根据一些实施例的连接到公共电压节点的多个存储器单元。

图3示出根据一些实施例的用于CBRAM的存储器单元的示例性I-V曲线。

图4示出根据一些实施例的包括多个区块的存储器的示例。

图5示出根据一些实施例的具有散布在字线之间的替换字线的存储器的示例。

图6示出根据一些实施例的具有在各组字线之间的多条替换字线的存储器的示例。

具体实施方式