[发明专利]具有分布式替换字线的存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括：

多个存储器单元；

多条位线，连接到所述多个存储器单元；

多条字线，连接到所述多个存储器单元；

多条替换字线，散布在所述多条字线之间；以及

字线控制电路，被配置为基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压，所述字线控制电路被配置为在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间，向各条字线施加不同的电压，存储器单元连接到各条字线，其中字线控制电路被配置为用所述多条替换字线中的替换字线来替换所述多条字线中的有缺陷字线，以及

其中字线控制电路被配置为在操作期间，基于替换字线的位置替换有缺陷字线而不补偿施加到替换字线的电压。

2.如权利要求1所述的存储器，其中字线控制电路被配置为在操作期间向替换字线施加的电压与字线控制电路被配置为在操作期间向有缺陷字线施加的电压相同。

3.如权利要求1所述的存储器，其中操作是向所述多个存储器单元中的存储器单元写入数据的操作。

4.如权利要求3所述的存储器，其中写入数据的操作包括在第一方向上向存储器单元施加电流的置位操作或者在第二方向上向存储器单元施加电流的复位操作。

5.如权利要求1所述的存储器，其中

所述多条字线包括第一组字线、第二组字线和第三组字线，

所述多条替换字线包括在第一组字线和第二组字线之间的至少一条第一替换字线，以及在第二组字线和第三组字线之间的至少一条第二替换字线，

字线控制电路被配置为用所述至少一条第一替换字线中的第一替换字线替换第一组或第二组中的有缺陷字线，以及

字线控制电路被配置为用所述至少一条第二替换字线中的第二替换字线替换第二组或第三组中的有缺陷字线。

6.如权利要求5所述的存储器，其中所述至少一条第一替换字线包括至少两条替换字线。

7.如权利要求1所述的存储器，其中所述多个存储器单元中的单个存储器单元包括晶体管和存储器元件。

8.如权利要求7所述的存储器，其中字线控制电路被配置为通过改变存储器元件的电阻向存储器元件施加电流，以存储比特值。

9.如权利要求7所述的存储器，其中晶体管具有连接到所述多条字线中的字线的控制端子，并且晶体管具有连接到所述多条位线中的位线的第二端子。

10.如权利要求9所述的存储器，其中晶体管具有连接到存储器元件的第三端子，并且存储器元件还连接到公共电压节点。

11.如权利要求1所述的存储器，其中存储器是非易失性存储器。

12.如权利要求1所述的存储器，其中存储器包括电阻式随机存取存储器(ReRAM)、导电桥随机存取存储器(CBRAM)、相变存储器(PCM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、自旋RAM或闪存中的至少一种。

13.如权利要求1所述的存储器，其中所述多条替换字线中的替换字线散布在整个存储器中的所述多条字线之间。

14.一种操作存储器的方法，所述存储器包括多个存储器单元、连接到所述多个存储器单元的多条位线、连接到所述多个存储器单元的多条字线、散布在所述多条字线之间的多条替换字线以及字线控制电路，所述方法包括：

在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间，通过字线控制电路，基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压，存储器单元连接到各条字线；以及

用所述多条替换字线中的替换字线来替换所述多条字线中的有缺陷字线，其中在操作期间，基于替换字线的位置替换有缺陷字线而不补偿施加到替换字线的电压。