[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于磁记录介质的磁性体薄膜、特别是用于热辅助磁记录介质的磁记录层的成膜的强磁性材料溅射靶，并涉及在利用磁控溅射装置进行溅射时能够得到稳定的放电的、粉粒产生少的FePt基烧结体溅射靶。

背景技术

在以HDD(硬盘驱动器)为代表的磁记录介质的领域中，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni作为基质的材料。例如，在采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中一直使用以Co作为主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基强磁性合金。另外，在采用近年来已实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中多使用包含以Co作为主要成分的Co-Cr-Pt基强磁性合金和非磁性无机物粒子的复合材料。并且，从生产率高的方面考虑，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜多数情况下通过使用以上述材料作为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射而制作。

另一方面，磁记录介质的记录密度逐年急速增大，认为将来会从目前的100千兆比特(Gbit)/平方英寸的面密度达到1万亿比特(Tbit)/平方英寸。当记录密度达到万亿比特/平方英寸时，记录比特(bit)的尺寸小于10nm，在这种情况下，可以预料到由热起伏导致的超顺磁化成为问题，并且可以预料到现在使用的磁记录介质，例如通过在Co-Cr基合金中添加Pt而提高了晶体磁各向异性的材料、或者向其中进一步添加B而减弱了磁性粒子间的磁耦合这样的介质是不足的。这是因为，以10nm以下的尺寸稳定地表现出强磁性的粒子需要具有更高的晶体磁各向异性。

鉴于上述这样的情况，具有L1₀结构的FePt相作为超高密度记录介质用材料而受到关注。另外，具有L1₀结构的FePt相在耐腐蚀性、抗氧化性方面优良，因此期待成为适合用作记录介质的材料。该FePt相在1573K具有有序-无序转变温度，通常即使将合金从高温起进行淬火也会由于快速的有序化反应而具有L1₀结构。并且，使用FePt相作为超高密度记录介质用材料时，要求开发使有序化的FePt相在磁隔离的状态下尽可能高密度且取向一致地分散的技术。鉴于这样的情况，提出了利用非磁性材料使具有L1₀结构的FePt磁性相磁隔离而得到的粒状结构磁性薄膜用作采用热辅助磁记录方式的下一代硬盘的磁记录介质。

该粒状结构磁性薄膜形成如下结构：通过非磁性物质的插入而使磁性粒子彼此磁绝缘。上述磁记录层由FePt合金等磁性相和将该磁性相隔离的非磁性相构成，已知作为非磁性相的材料，C、BN是有效的。在形成这样的磁性薄膜的情况下，通常使用含有C的FePt合金溅射靶，而不是使用C靶和FePt合金靶的多个靶(例如，专利文献1～2)。以前，本发明人进行了关于含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶(专利文献3)、含有BN的FePt基磁记录膜形成用溅射靶(专利文献4)的发明。

含有C、BN的FePt基溅射靶通常使用粉末烧结法来制作。但是，相对于FePt合金，C、BN的热膨胀率过小，因此，烧结温度越高，则对C、BN施加的压应力越增大，其结果是，有时C、BN产生物理缺陷，成为在溅射中产生粉粒的原因。另一方面，烧结温度过低时，靶的密度会变低，因此，存在这会成为原因而导致产生粉粒的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-102387号公报

专利文献2：日本特开2012-214874号公报

专利文献3：国际公开WO2014/013920

专利文献4：国际公开WO2014/065201

专利文献5：日本专利第5041261号

专利文献6：日本专利第5041262号

发明内容

发明所要解决的问题

本发明提供一种FePt基烧结体溅射靶，其为由FePt基合金等磁性相和将该磁性相隔离的非磁性相构成的、用于形成磁记录层的溅射靶，其中，使用C和/或BN作为非磁性相的材料，本发明的课题在于提供一种抑制了在溅射时产生的粉粒的、高密度的FePt基溅射靶。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现，通过在原料中添加熔点低的AuCu合金作为烧结助剂，即使在比以往低的烧结温度下，也可以提高靶的密度，其结果是，可以减少由基于C、BN的缺陷、密度的降低而引起的溅射中的粉粒的产生。

基于这样的发现，本发明提供：