[发明专利]磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法在审
| 申请号： | 201580051739.8 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107075665A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C5/04;C22C38/00;G11B5/65;G11B5/851;H01F10/14;H01F41/18;B22F3/14;B22F3/15 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 形成 溅射 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，其为含有C和/或BN的FePt基烧结体溅射靶，其特征在于，在与该靶的溅射面垂直的截面的抛光面中AuCu合金粒子所占的面积率为0.5％以上且15％以下。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶整体的组成，Au和Cu合计含量为1～20摩尔％。
3.如权利要求2所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶内的Cu相对于Au的含有比率为20～80摩尔％。
4.如权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶整体的组成，Pt含量为30～70摩尔％。
5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶整体的组成，C含量为5～50摩尔％。
6.如权利要求1～5中任一项所述的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶整体的组成，BN含量为5～40摩尔％。
7.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，其特征在于，含有相对于溅射靶整体的组成各自为0.1～20摩尔％的选自Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Ga、Si中的一种以上的金属氧化物。
8.如权利要求1～7中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的密度为95％以上。
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