[发明专利]芯片型陶瓷半导体电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及包括正特性(或正温度系数、PTC)热敏电阻和负特性(或负温度系数、NTC)热敏电阻在内的热敏电阻、变阻器以及电容器等芯片型陶瓷半导体电子部件。

背景技术

近年来，随着电子技术的发展，需要减小芯片型陶瓷半导体电子部件电阻值的波动。

例如，专利文献1中公开了一种芯片型半导体陶瓷电子部件，该芯片型半导体陶瓷电子部件具有由半导体陶瓷构成的陶瓷基体、形成于陶瓷基体两端面上的第一外部电极、和以覆盖第一外部电极表面和陶瓷基体侧面的一部分的方式伸出的第二外部电极，其中，第一外部电极由与陶瓷基体具有欧姆接触特性(オーミック性)的材料构成，第二外部电极由与陶瓷基体没有欧姆接触特性的材料构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2009/096333号

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1中所记载的芯片型半导体陶瓷电子部件中，陶瓷基体的侧面和端面所构成的角部具有曲面。专利文献1中记载，通过将陶瓷基体角部的曲率半径R、第一外部电极层中与陶瓷基体接触的层的从陶瓷基体的端面起的最大厚度y、以及第二外部电极中与陶瓷基体侧面接触的层的从陶瓷基体角部顶点起的最小厚度x设定在特定的数值范围内，能够得到各电阻值的波动小的芯片型半导体陶瓷电子部件。

然而，随着电子设备的高性能化，需要更加有效地抑制芯片型陶瓷半导体电子部件安装前后电阻值变化率的波动。

本发明的目的在于提供一种安装前后电阻值变化率的波动小的芯片型陶瓷半导体电子部件。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明人经过反复研究发现，由于在形成第二外部电极之际在烧结等高温下进行热处理，第一外部电极中所包含的金属元素的一部分会被氧化，且第一外部电极中所包含的金属元素的一部分具有会在第一外部电极内部扩散而偏析的倾向。进一步发现，由于发生所述氧化和/或偏析，在芯片型陶瓷半导体电子部件中，安装前后电阻值变化率的波动有变大的倾向。本发明人在这些认知的基础上，发现通过使用能够在比上述烧结等热处理时的温度更低的温度下固化的树脂材料来形成第二外部电极，能够抑制第一外部电极中所包含的金属元素的氧化和/或偏析，其结果是能够减小芯片型陶瓷半导体电子部件安装前后电阻值变化率的波动，从而完成了本发明。

本发明的一项技术内容是提供一种芯片型陶瓷半导体电子部件，所述芯片型陶瓷半导体电子部件包含：

含有陶瓷半导体的陶瓷基体、

一对形成于陶瓷基体的两个端面上的第一外部电极、和

一对以覆盖所述第一外部电极且在所述陶瓷基体的侧面的一部分上延伸的方式形成的第二外部电极，

第二外部电极包含导电剂、和在500℃以下的温度下固化的热固性树脂。

发明的效果

本发明通过具有上述构成，能够得到安装前后电阻值变化率的波动小的芯片型陶瓷半导体电子部件。

附图的简要说明

[图1]图1是本发明第一实施方式的芯片型陶瓷半导体电子部件的简略剖视图。

[图2]图2是本发明第一实施方式的芯片型陶瓷半导体电子部件的一个变形例的简略剖视图。

[图3]图3是本发明第二实施方式的芯片型陶瓷半导体电子部件的简略剖视图。

[图4]图4(a)是根据本发明第一实施方式的芯片型陶瓷半导体电子部件的制造方法的一例、第一外部电极形成于两端面上的陶瓷基体的简略剖视图，图4(b)是从端面侧面观察的第一外部电极形成于两端面上的陶瓷基体的侧视图。

[图5]图5是通过本发明第一实施方式的芯片型陶瓷半导体电子部件的制造方法的一例制造的芯片型陶瓷半导体电子部件的简略剖视图。

[图6]图6是实施例1的芯片型陶瓷半导体电子部件的第一外部电极的剖面的SEM图像和元素图扫结果。

[图7]图7是比较例1的芯片型陶瓷半导体电子部件的第一外部电极的剖面的SEM图像和元素图扫结果。

具体实施方式