[发明专利]芯片型陶瓷半导体电子部件在审
申请号: | 201580049926.2 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN107077970A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 磯贝佳祐;今村悟史 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01C7/02;H01C7/04;H01C7/10;H01G4/232;H01G4/252 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 高宏伟,张佳鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 陶瓷 半导体 电子 部件 | ||
1.一种芯片型陶瓷半导体电子部件,所述芯片型陶瓷半导体电子部件包含:
含有陶瓷半导体的陶瓷基体、
一对形成于所述陶瓷基体的两个端面上的第一外部电极、和
一对以覆盖所述第一外部电极且在所述陶瓷基体的侧面的一部分上延伸的方式形成的第二外部电极,
所述第二外部电极包含导电剂、和在500℃以下的温度下固化的热固性树脂。
2.如权利要求1所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,所述第二外部电极包含导电剂、和在250℃以下的温度下固化的热固性树脂。
3.如权利要求1或2所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,所述热固性树脂包含环氧树脂和酚醛树脂中的至少一种。
4.如权利要求1~3中任一项所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,所述导电剂是包含Ag、AgPd和Cu中的至少一种的金属粒子。
5.如权利要求1~4中任一项所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,所述第二外部电极的从所述第一外部电极的表面起的厚度为1~35μm。
6.如权利要求1~5中任一项所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,还包含以覆盖所述第二外部电极的表面的方式形成的第一镀覆层,所述第一镀覆层包含Ni和Cu中的至少一种,且所述第一镀覆层的厚度为3~10μm。
7.如权利要求6所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,所述第二外部电极的从所述第一外部电极的表面起的厚度与所述第一镀覆层的厚度之比为5:1~1:1。
8.如权利要求1~7中任一项所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,所述第一外部电极对所述陶瓷基体具有欧姆接触特性。
9.如权利要求1~7中任一项所述的芯片型陶瓷半导体电子部件,其特征在于,还包含两个以上配置在所述陶瓷基体内部的内部电极,且所述第一外部电极与所述内部电极电连接。
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