[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，包括如下工序：

1)烧结成形体，准备R-T-B系烧结磁体原材的工序，该R-T-B系烧结磁体原材含有：

27.5质量％以上且31.0质量％以下的R，其中，R是稀土类元素之中至少一种，且必须含有Nd；

0.85质量％以上且0.93质量％以下的B；

0.20质量％以上且0.70质量％以下的Ga；

多于0.2质量％且0.50质量％以下的Cu；

0.05质量％以上且0.5质量％以下的Al；和

0质量％以上且0.1质量％以下的M，其中，M是Nb和Zr双方或任意一方；

余量是T和不可避免的杂质，其中，T为Fe和Co，以质量比计T的90％以上是Fe，并满足下式(1)和(2)，

[T]-72.3[B]＞0 (1)

([T]-72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72 (2)

上式中，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量，

2)高温热处理工序，将所述R-T-B系烧结磁体原材加热至730℃以上且1020℃以下的加热温度后，以5℃/分钟以上冷却至300℃，

3)低温热处理工序，将所述高温热处理工序后的所述R-T-B系烧结磁体原材加热至440℃以上且550℃以下的温度。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，在所述工序2)中，将所述R-T-B系烧结磁体原材以5℃/分钟以上且25℃/分钟以下，从所述加热温度冷却至300℃。

3.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，在所述工序2)中，将所述R-T-B系烧结磁体原材以10℃/分钟以上且25℃/分钟以下，从所述加热温度冷却至300℃。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，在所述工序3)中，将所述高温热处理工序后的所述R-T-B系烧结磁体原材加热至450℃以上且490℃以下的温度。