[发明专利]半导体模块

说明书

根据一个实施例的一种半导体模块(10A)包括：纵向型第一晶体管芯片和第二晶体管芯片(12A、12B)，其中，被形成在第一晶体管芯片的后表面上的第二主电极焊盘(20)被安装在衬底上的第一布线图案(74)上并且与其连接，在第一晶体管芯片的前表面上与第一主电极焊盘一起形成的第一控制电极焊盘(16)被电连接到衬底上的第二布线图案(76)，在第二晶体管的前表面上的与第二控制电极焊盘一起形成第三主电极焊盘(18)被安装在第一布线图案上并且与其连接，并且在第二晶体管芯片的后表面上形成的第二控制电极焊盘(16)被电连接到第三布线图案。

技术领域

本发明涉及半导体模块。

背景技术

作为半导体模块，已经知道的是诸如逆变器的电力转换器(参见专利文献1)。在用于电力转换器的半导体模块中，在逆变器中作为上臂开关的晶体管芯片和作为下臂开关的晶体管芯片被安装在衬底上，串联连接在一起。晶体管芯片包括纵向型晶体管芯片，该纵向型晶体管芯片在前表面上具有栅电极焊盘(控制电极焊盘)和源电极焊盘(第一主电极焊盘)并且在后表面上具有漏电极焊盘(第二主电极焊盘)(例如，专利文献2)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利公开No.2013-171870

专利文献2：日本专利No.4993824

发明内容

技术问题

当串联连接在一起的两个纵向型晶体管芯片安装在用于诸如逆变器的电力转换器的半导体模块中的衬底上时，通常，晶体管芯片安装在衬底上，使得两个纵向型晶体管的漏电极焊盘面对衬底。在这种情况下，为了将两个纵向型晶体管芯片串联连接在一起，下臂的纵向型晶体管芯片的漏电极焊盘和上臂的纵向型晶体管芯片的源电极焊盘必须经由导线——诸如电线连接在一起。也就是说，在两个纵向型晶体管的串联连接中，插入导线，诸如电线。

基于例如上臂的晶体管芯片的漏电极焊盘的电势来设置供应到上臂的晶体管芯片的栅电极电压。然而，当下臂的纵向型晶体管芯片的漏电极焊盘和上臂的纵向型晶体管芯片的源电极焊盘如上所述经由诸如电线的导线连接在一起时，由于导线的电感分量，导致源电势发生波动，结果，当半导体模块被驱动时，栅电极电压(电势)出现波动。随着半导体模块的驱动频率增大，源电势的波动和与其关联的栅电极电压的波动显著。为此原因，当半导体模块的驱动没有造成波动时，半导体模块的操作速率会受到限制。

这里，作为所述晶体管芯片，已经主要描述了具有栅电极焊盘(控制电极焊盘)和源电极焊盘(第一主电极焊盘)并且在后表面上具有漏电极焊盘(第二主电极焊盘)的纵向型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；然而，在其它纵向型晶体管中会出现类似问题。

因此，本发明的目的是提供一种能够在较高频率下驱动的半导体模块。

技术方案