[发明专利]静电夹盘及其制造方法

说明书

公开了一种静电夹盘及其制造方法。静电夹盘包括具有第一超低膨胀(ULE)材料的第一层，耦合至第一层、具有第二ULE材料的第二层，以及耦合至第二层、具有第三ULE材料的第三层。静电夹盘进一步包括位于第一层和第二层之间的多个流体通道，以及插入在第二层和第三层之间的复合层。用于制造静电夹盘的方法包括形成多个流体通道，在第三层上布置复合层，以及将第三层耦合至第二层。配置多个流体通道以输送热调节流体用于所夹持物体的温度调节。

交叉引用

本申请要求享有2014年8月26日提交的美国申请62/042,133的权益，并且在此通过全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种用于支撑光刻设备中的衬底和/或物体(例如图形化装置)的静电夹盘，以及用于制造其的方法。

背景技术

光刻设备是将所需图形施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造。在该情形中，备选地称作掩模或刻线板的图形化装置可以用于产生对应于IC的单个层的电路图形，并且可以将该图形成像至具有辐射敏感材料(抗蚀剂)的层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或数个裸片的一部分)上。通常，单个衬底将包含连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括其中通过将整个图形一次性曝光至目标部分上而照射每个目标部分的所谓步进机，以及其中通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描图形穿过光束而同时平行于或反平行于该方向扫描衬底从而照射每个目标部分的所谓扫描机。也可能通过将图形压印至衬底上而从图形化装置转移图形至衬底。

光刻被广泛地认识作为IC和其他器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，当使用光刻制造的特征的尺寸变得更小时，光刻成为使能缩小待制造IC或其他器件和/或结构的更关键因素。

可以由如等式(1)所示的对于分辨率的雷利(Rayleigh)准则而给出图形印刷的限制的理论估计：

其中λ是所使用辐射的波长，NA是用于印刷图形的投影系统的数值孔径，k₁是工艺相关的调整因子也称作雷利常数，以及CD是所印刷特征的特征尺寸(或关键尺寸)。从等式(1)可知可以由三种方式获得特征的最小可印刷尺寸的减小：通过缩短曝光波长λ，通过增大值孔径NA，或者通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并且因此减小最小可印刷尺寸，已经提出了使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5－20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13－14nm范围内，例如在5－10nm范围内诸如6.7nm或6.8nm。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或者基于由电子存储环所提供的同步辐射的源。

然而，由这些源所产生的辐射将不仅是EUV辐射，并且源也可以在其他波长下发射，包括红外(IR)辐射和深紫外(DUV)辐射。DUV辐射对于光刻系统可以是有害的，因为其可以导致对比度损失。进一步地，不希望的IR辐射可以引起对系统内部件的热损伤。因此已知使用光谱纯度过滤器以增大所发射辐射中EUV的比例并且减小或甚至消除不希望的非EUV辐射，诸如DUV和IR辐射。

使用EUV辐射的光刻设备可以要求EUV辐射束路径或者至少其主要部分必需在光刻操作期间保持在真空中。在光刻设备的该真空区域中，静电夹盘可以用于将物体、诸如图形化装置和/或衬底分别夹持至光刻设备的结构，诸如图形化装置工作台和/或衬底工作台。

此外，使用EUV辐射的光刻设备可以要求例如图形化装置和/或衬底的温度调节。由EUV辐射或不希望的非EUV辐射所产生的热量可以由于由图形化装置和/或衬底所吸收热量而在光刻操作期间引起例如图形化装置和/或衬底中的形变。为了减小形变，冷却剂可以循环通过静电夹盘。然而，配置静电夹盘用于循环冷却剂可以在夹盘结构中产生应力。该应力可以传递至被夹持至静电夹盘的物体(例如图形化装置、衬底)，导致在被夹持物体中的形变。