[发明专利]静电夹盘及其制造方法

权利要求书

1.一种静电夹盘，包括：

第一层，具有第一超低膨胀材料；

第二层，耦合至所述第一层，所述第二层具有第二超低膨胀材料；

多个流体通道，位于所述第一层和所述第二层之间，所述多个流体通道被配置用于输送热调节流体；

第三层，在从350℃到800℃的范围中的温度被键合至所述第二层，所述第三层具有第三超低膨胀材料；以及

复合层，插入在所述第二层和所述第三层之间，

其中所述第一超低膨胀材料、所述第二超低膨胀材料和所述第三超低膨胀材料包括具有为零的热膨胀系数的相同超低热膨胀材料。

2.根据权利要求1所述的静电夹盘，其中，所述第一超低膨胀材料、所述第二超低膨胀材料以及所述第三超低膨胀材料包括超低膨胀玻璃。

3.根据权利要求1所述的静电夹盘，其中，所述第一超低膨胀材料、所述第二超低膨胀材料以及所述第三超低膨胀材料包括硅基材料。

4.根据权利要求1所述的静电夹盘，其中，所述复合层包括交替的导电层和绝缘层。

5.根据权利要求1所述的静电夹盘，进一步包括中间层，插入在所述复合层和所述第二层之间，所述中间层被配置用于促进在所述复合层和所述第二层之间的键合。

6.根据权利要求1所述的静电夹盘，其中，所述第三层包括顶表面，被配置用于容纳物体以用于夹持。

7.根据权利要求1所述的静电夹盘，其中，多个突节位于所述第三层的顶表面上，所述多个突节被配置用于容纳物体以用于夹持。

8.根据权利要求1所述的静电夹盘，其中，所述第一层包括多个沟槽，被配置用于形成所述多个流体通道。

9.一种器件制造方法，所述方法包括：

在第一层和第二层之间形成多个流体通道，所述多个流体通道被配置用于输送热调节流体，所述第一层具有第一超低膨胀材料，且所述第二层具有第二超低膨胀材料；

在第三层上布置复合层，所述复合层包括交替的导电层和绝缘层，所述第三层具有第三超低膨胀材料，其中所述第一超低膨胀材料、所述第二超低膨胀材料和所述第三超低膨胀材料包括具有为零的热膨胀系数的相同超低热膨胀材料；以及

将所述第三层键合至所述第二层，其中所述键合在从350℃到800℃的范围中的温度执行。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述多个流体通道包括：

在所述第一层的顶表面上形成多个沟槽；

抛光所述第二层的底表面；

将所述第一层的顶表面直接键合至所述第二层的底表面以形成所述第一层和所述第二层的键合结构；以及

退火所述键合结构。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层包括相同的超低膨胀材料。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，布置所述复合层包括：

在所述第三层的底表面上布置金属层；

图形化所述金属层；

在所述图形化的金属层和所述第三层的底表面上布置电介质层；以及

图形化所述电介质层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述第三层耦合至所述第二层包括：

在所述复合层上布置中间层；以及

将所述中间层直接键合至所述第二层的顶表面。

14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在所述第三层的顶表面上形成多个突节，所述多个突节被配置用于容纳物体以用于夹持。