[发明专利]固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置有效
申请号: | 201580045723.6 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN106796941B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 井上晋;秋山健太郎;藤曲润一郎;石川庆太;小木纯;田川幸雄;中村卓矢;胁山悟 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 装置 电子设备 半导体 | ||
本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置:它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出,并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术,以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝,所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此,该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。
技术领域
本发明涉及固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置,并且具体地,涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置:在它们中,防止了填充在基板与倒装芯片(flip chip)电气连接的部位中的底部填充树脂(underfilling resin)的溢出,并且还能够防止诸如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。
背景技术
作为在将电气连接的倒装芯片经由焊料凸块(solder bump)安装到基板上时用来提高连接可靠性的技术,采用了如下方法:在该方法中,称为底部填充树脂的树脂被注入并填充到基板与倒装芯片之间,然后该树脂被固化。
基板和倒装芯片二者的相对表面上分别形成有焊料凸块,并且为了在包括焊料凸块的基板与包括焊料凸块的倒装芯片之间的间隙中完全地填充底部填充树脂,就需要选择具有低粘度的树脂。然而,因为需要注入稍微偏多的树脂以免树脂量的不足,所以一些底部填充树脂可能会溢出并且从安装有倒装芯片的区域中流出。
因此,在现有技术中,采用了通过以下方式来防止溢出的方法:其中,通过以环形或方形围绕着基板上的与倒装芯片连接的区域的方式设置焊料图案,来形成底部填充树脂的堤坝;并且阻挡底部填充树脂的流出(例如,参见专利文献1)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开第2003-234362号
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,因为对底部填充树脂的阻挡能力可能会因为焊料凸块和焊料堤坝的加工形状而发生变化,所以不仅有必要精确地控制焊料凸块的形状,还有必要精确地控制堤坝的形状。
此外,当在稍后的工序中执行加热处理时,以环形形成的焊料材料可能熔化并且流动,而且该焊料可能在一部分处滞留并且溢出,然后就可能超出设计宽度。结果,不仅阻挡能力劣化了,而且可能发生因为由溢出的焊料引起的与芯片的电气短路及与芯片加工装备的接触而造成的二次损害。
本发明是鉴于上述情形而被做出的,并且具体地,本发明旨在:利用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂发生溢出;并且进一步防止诸如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。
解决技术问题的技术方案
根据本发明一方面的固体摄像器件包括:基板,所述基板上形成有片上透镜,并且所述基板与倒装芯片电气连接;底部填充树脂,所述底部填充树脂被填充在所述基板与所述倒装芯片之间的电气连接范围内;以及阻挡部,所述阻挡部是通过将所述片上透镜的材料层成型(mold)、且以围绕着所述电气连接范围的方式而被形成为环形或方形,并且所述阻挡部被配置用于阻挡填充在所述电气连接范围内的所述底部填充树脂。
所述阻挡部可以是通过将所述片上透镜的材料层成型、且以在横截面上具有与所述片上透镜的形状相似的凸透镜形状的方式而被形成的。
可以在切削所述电气连接范围内的所述材料层从而使该材料层成型为凹部(dent)之后,来执行前述的通过将所述片上透镜的材料层成型、且以在横截面上具有与所述片上透镜的形状相似的凸透镜形状的方式而被形成的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的