[发明专利]固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置有效
申请号: | 201580045723.6 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN106796941B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 井上晋;秋山健太郎;藤曲润一郎;石川庆太;小木纯;田川幸雄;中村卓矢;胁山悟 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 装置 电子设备 半导体 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
基板,所述基板上形成有片上透镜,并且所述基板与倒装芯片电气连接;
底部填充树脂,所述底部填充树脂被填充在所述基板与所述倒装芯片之间的电气连接范围内;以及
阻挡部,所述阻挡部是通过将所述片上透镜的材料层成型、且以围绕着所述电气连接范围的方式而被形成为环形或方形,并且所述阻挡部被配置成阻挡填充在所述电气连接范围内的所述底部填充树脂。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述阻挡部是通过将所述片上透镜的所述材料层成型、且以在横截面上具有与所述片上透镜的形状相似的凸透镜形状的方式而被形成的。
3.根据权利要求2所述的固体摄像器件,其中,所述阻挡部的形成是在所述电气连接范围内的所述材料层被切削从而成型为凹部之后,通过将所述片上透镜的所述材料层成型、且以在横截面上具有与所述片上透镜的形状相似的凸透镜形状的方式而被实施的。
4.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述阻挡部是通过将所述片上透镜的所述材料层成型、且以在横截面上具有凹透镜形状的方式而被形成的。
5.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述阻挡部是通过在所述材料层中成型贯通孔的技术而被形成的沟槽。
6.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述阻挡部是在所述电气连接范围内的所述材料层被切削从而成型为凹部之后,通过成型贯通孔的技术而被形成的沟槽。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的固体摄像器件,其中,形成有多个所述阻挡部。
8.一种摄像装置,其包括如权利要求1至7中任一项所述的固体摄像器件。
9.一种电子设备,其包括如权利要求1至7中任一项所述的固体摄像器件。
10.一种半导体装置,其包括:
基板,所述基板包括位于顶层的用于片上透镜的材料层,并且所述基板与倒装芯片电气连接;
底部填充树脂,所述底部填充树脂被填充在所述基板与所述倒装芯片之间的电气连接范围内;以及
阻挡部,所述阻挡部是通过将所述用于片上透镜的材料层成型、且以围绕着所述电气连接范围的方式而被形成为环形或方形,并且所述阻挡部被配置成阻挡填充在所述电气连接范围内的所述底部填充树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的