[发明专利]电气配线构件的制造方法、以及电气配线构件有效
| 申请号： | 201580043893.0 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106663505B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 滩秀明;上藤弘明;滋野博誉;坂田喜博;松井佑树;高山久弥 | 申请（专利权）人： | 日本写真印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C01G3/00;G06F3/041;G06F3/044;H01B5/14;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 钟海胜,涂琪顺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电气 构件 制造 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.反射率5％以下的电气配线构件的制造方法，其具有下述工序：
在基材的至少一个主面上形成依次层叠有Cu层和在波长400nm～700nm时的消光系数为1.0以上1.8以下的CuNO黑化层的层叠膜的工序、
在所述层叠膜上的规定区域形成抗蚀剂层的工序、
通过使所述层叠膜与蚀刻液接触从而除去所述层叠膜的未被所述抗蚀剂层覆盖的区域的工序、以及
在所述基材和形成了图案的所述层叠膜上，形成作为折射率与所述CuNO黑化层不同的电介质层的SiO2层的工序。
2.反射率5％以下的电气配线构件，其具有：
基材、
在该基材的至少一个主面上形成的层叠膜，所述层叠膜依次层叠有Cu层和在波长400nm～700nm时的消光系数为1.0以上1.8以下的CuNO黑化层并且形成了图案、以及
在所述基材和形成了图案的所述层叠膜上形成的、作为折射率与所述CuNO黑化层不同的电介质层的SiO2层。
3.根据权利要求2所述的反射率5％以下的电气配线构件，所述CuNO黑化层和所述SiO2层的合计膜厚为100nm以下。
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