[发明专利]对于开关泄漏电流的被动泄漏管理电路

权利要求书

1.一种针对开关泄漏电流的被动泄漏管理电路，包含：

开关，具有开关输入和与电气负载电耦合的开关输出，并且，可在第一操作模式和第二操作模式中操作，在所述第一操作模式中所述开关输出供应提供给所述输入并且具有第一预定电压的输出电流，在所述第二操作模式中所述开关输出供应来自所述输入并且具有比所述第一预定电压更低的第二电压的泄漏电流；

第一电流路径，包含至少第一晶体管，其中所述第一晶体管基于所述开关输出而沿着所述第一电流路径传导电流；以及

泄漏电流路径，包含至少第二晶体管，其中所述第二晶体管基于所述第一晶体管传导电流而沿着所述泄漏电流路径传导电流；

其中，所述第一电流路径或泄漏电流路径中的至少一个独立于所述开关的状态并且在除所述开关输出以外没有额外电源的情况下基于所述开关输出而自动地传导电流。

2.如权利要求1所述的被动泄漏管理电路，其中，所述泄漏电流路径进一步包含在所述泄漏电流路径传导电流时被选择为耗散第一功率量的第一电阻器。

3.如权利要求2所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一电流路径进一步包含在所述第一电流路径传导电流时被选择为耗散第二功率量的第二电阻器。

4.如权利要求3所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一功率量小于所述第二功率量。

5.如权利要求2-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一电阻器进一步包含被选择为耗散所述泄漏电流的电阻器。

6.如权利要求5所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一电阻器包含分流电阻器、可变电阻器或齐纳二极管中的至少一个。

7.如权利要求1-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述开关包含固态功率控制器（SSPC）。

8.如权利要求1-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一预定电压为270 VDC。

9.如前述权利要求1-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第二电压为25VDC。

10.如前述权利要求1-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一晶体管包含金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

11.如权利要求10所述的被动泄漏管理电路，其中，所述MOSFET包含栅极端子、源极端子以及漏极端子，并且，其中，在所述栅极端子暴露于比所述MOSFET的阈值电压更大的电压时，所述MOSFET被选择为在所述源极端子与漏极端子之间传导电流。

12.如权利要求1-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第二晶体管包含双极晶体管。

13.如权利要求1-4中的任一项所述的被动泄漏管理电路，其中，所述第一电流路径或泄漏电流路径中的至少一个在未意识到所述开关的状态的情况下基于所述开关输出而自动地传导电流。