[发明专利]光转换薄膜及其制造方法、层叠体及其制造方法在审
| 申请号： | 201580034851.0 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106662688A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 渡野亮子;原敏雄;伊藤英明;斋藤之人;矢内雄二郎 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;B32B7/02;B32B27/36;F21V9/14;F21S2/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转换 薄膜 及其 制造 方法 层叠 | ||
1.一种光转换薄膜，其包含聚合物与量子杆，其以平行于所述光转换薄膜表面的一个方向与所述量子杆的长轴成为平行的方式使所述量子杆取向，
其含水率为1.0％以下，
其氧透过系数为200cc·20μm/m2·day·atm以下，
所述量子杆的平均长度为8～500nm。
2.根据权利要求1所述的光转换薄膜，其中，所述聚合物包含聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。
3.根据权利要求1或2所述的光转换薄膜，其中，所述量子杆的平均长度为8～160nm。
4.根据权利要求1或2所述的光转换薄膜，其中，所述量子杆的平均长度为10～160nm。
5.根据权利要求1或2所述的光转换薄膜，其中，所述量子杆由II-VI半导体、III-V半导体、IV-VI半导体或它们的组合所构成。
6.根据权利要求1或2所述的光转换薄膜，其中，所述量子杆由激发光所激发而发出萤光。
7.一种层叠体，其包含支撑体与配置在所述支撑体上的权利要求1～6中任一项所述的光转换薄膜。
8.根据权利要求7所述的层叠体，其中，所述支撑体包含聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。
9.一种光转换薄膜的制造方法，其是权利要求1～6中任一项所述的光转换薄膜的制造方法，
所述光转换薄膜的制造方法具备如下工序：
将包含聚合物与量子杆的混合物熔融制膜而得到聚合物薄膜的工序；及
将所述聚合物薄膜朝一个方向延伸而得到所述光转换薄膜的工序。
10.一种光转换薄膜的制造方法，其是权利要求1～6中任一项所述的光转换薄膜的制造方法，
所述光转换薄膜的制造方法具备如下工序：
将包含聚合物、量子杆及溶剂的混合物涂布在支撑体上而在所述支撑体上形成包含所述聚合物与所述量子杆的涂膜的工序；
使所述支撑体与所述涂膜一同朝一个方向延伸而得到包含所述支撑体与配置在所述支撑体上的光转换薄膜的层叠体的工序；及
从所述层叠体去除所述支撑体而得到所述光转换薄膜的工序。
11.一种层叠体的制造方法，其是权利要求7或8所述的层叠体的制造方法，
所述层叠体的制造方法具备如下工序：
将包含聚合物、量子杆及溶剂的混合物涂布在支撑体上而在所述支撑体上形成包含所述聚合物与所述量子杆的涂膜的工序；及
所述支撑体与所述涂膜一同朝一个方向延伸而得到所述层叠体的工序。
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