[发明专利]研磨装置及研磨方法

说明书

本发明提供一种研磨装置及研磨方法，本发明的双头研磨加工装置（1）具备：主轴驱动部（30），其使可安装砂轮（10）的主轴（31）旋转；移动部（90），其使主轴驱动部（30）沿接近远离晶片（W）的方向移动；及倾斜测量部（60），其测量主轴驱动部（30）的移动所伴随的主轴（31）的倾斜的变化。

技术领域

本发明涉及一种研磨装置及研磨方法。

背景技术

以往，已知有关于被研磨物的研磨的技术（例如，参考专利文献1、专利文献2）。

在专利文献1中，公开有一种用于对作为被研磨物的半导体晶片（以下称为晶片）进行研磨（表面加工）的装置。

在该装置中，可偏向地支承设置有按压到晶片的双面的环状底盘的旋转轴的至少一方，并测量该被可偏向地支承的旋转轴的倾斜角度，并根据所测量的倾斜角度推测晶片形状，并将推测结果与目标形状进行比较运算，并根据运算结果，使被可偏向地支承的旋转轴偏向。

在专利文献2中，公开有一种用于对作为被研磨物的晶片进行同时双面研磨的方法。

在用于实施该方法的装置中，在被固定于相对向的同一线上的主轴的两个旋转的研磨砥石之间，对晶片进行机械加工。晶片是在机械加工期间沿轴向以实质上无约束力的形式通过两个静压轴承来引导，且沿径向通过导向环来引导，且通过驱动装置来旋转的。并且，在半导体晶片的研磨期间，通过至少两个传感器测量至少一个静压轴承与研磨砥石之间的径向距离，并根据所述距离计算主轴位置的水平方向及垂直方向的校正位置，并与该计算对应地校正主轴位置。

专利文献

专利文献1：日本特开平11-254312号公报

专利文献2：日本特开2009-95976号公报

但是，在如专利文献1、专利文献2所记载的结构中，一般设置有移动部，所述移动部使移动侧环状底盘或研磨盘（以下，有时存在将移动侧环状底盘和研磨盘统称为砂轮的情况）沿接近远离晶片的方向移动。例如，在移动部具备导轨及滑动保持部的情况下，有可能发生如下现象，所述导轨与使砂轮旋转的驱动部一体设置，所述滑动保持部以可滑动的方式保持该导轨。

若重复驱动部相对于晶片的移动，则例如滑动保持部磨损，而有可能导致导轨的端部与滑动保持部部分接触。若在该部分接触的状态下重复砂轮的接近远离，则促进滑动保持部的磨损，而有可能导致导轨的晃动变大。

并且，若导轨的晃动变大，则在研磨晶片后，使砂轮远离晶片的瞬间，砂轮的倾斜大幅度变化，而有可能导致砂轮碰撞到晶片。

因此，优选根据滑动保持部的磨损状态更换滑动保持部，从而将导轨的晃动抑制在最小限度。

然而，在如专利文献1所记载的结构中，仅测量研磨晶片时的砂轮的倾斜角度。并且，在如专利文献2所记载的结构中，仅确定主轴的水平方向及垂直方向的校正位置。因此，在如专利文献1、专利文献2所记载的结构中，无法掌握滑动保持部的磨损状态，即移动部的异常状态。

并且，在如专利文献1、专利文献2所记载的结构中检测异常时，可考虑从移动部拆下驱动部，通过目视或测量来确认滑动保持部的磨损状态。但是，在驱动部的拆卸作业或者基于目视或测量的确认作业时，由于无法进行研磨，因此导致生产效率降低。而且，为了不降低生产效率，也可考虑根据研磨后的晶片的品质来推测异常状态。但是，若不确认品质不良的晶片，则无法掌握异常状态，因此导致良品率降低。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种不降低生产效率及良品率，便可掌握移动部的异常状态的研磨装置及研磨方法。