[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合带

说明书

本发明课题为提供一种半导体晶圆表面保护用粘合带，即使贴合在尤其是具有金凸块的半导体晶圆并放置，也不会发生浮起的现象，在研磨半导体晶圆的背面时，尘埃或水不会浸入，可将半导体晶圆研磨成膜，半导体晶圆不会发生破裂或残胶而能够剥离。课题解决手段为一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其至少具有粘合剂层与基材膜，并且粘合剂层不会因为能量射线的照射而固化，在23℃时对于剥离速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A与对于剥离速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0，对于剥离速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力，在23℃时为1.2～4.5N/25mm，在50℃时的粘合力为在23℃时的粘合力的50％以下。

技术领域

本发明关于一种半导体晶圆表面保护用粘合带。进一步详细而言，关于一种在将半导体晶圆研磨成薄膜时所使用的半导体晶圆表面保护用粘合带。

背景技术

半导体封装，是将高纯度单晶硅等切片制成半导体晶圆后，藉由离子植入、蚀刻等在该晶圆表面形成集成电路而制造。将形成有集成电路的半导体晶圆背面加以研磨，藉由研磨等方法，使半导体晶圆成为所希望的厚度。此时为了保护形成于半导体晶圆表面的集成电路，可使用半导体晶圆表面保护用粘合带。经过背面研磨的半导体晶圆，在背面研磨结束后会被收纳在晶圆盒，然后运送至切割步骤加工成半导体芯片。半导体晶圆表面保护用粘合带，一般而言是粘合剂层层叠于基材膜而成，并且是将粘合剂层贴附在半导体晶圆的背面来使用。

以往是藉由背面研磨，将半导体晶圆的厚度削薄至200～400μm左右。但是，随着近年来高密度安装技术的进步，半导体芯片必须小型化，使得半导体晶圆往薄化发展。依照半导体芯片种类不同，会有必须薄至100μm左右的情形。另外，为了使一次加工所能够制造出的半导体芯片的数目增加，晶圆直径也有大型化的倾向。目前直径5英寸或6英寸的晶圆为主流，然而近年来由直径8～12英寸的半导体晶圆加工成半导体芯片逐渐成为主流。

半导体晶圆的薄化及大直径化的潮流，尤其是在存在NAND型或NOR型的闪存领域、或挥发性内存的DRAM等领域，有显著出现的倾向。例如使用直径12英寸的半导体晶圆并研磨至150μm的厚度以下的情况也并不稀奇。

通常，半导体晶圆会被机械手臂从被称为晶圆盒的专用的盒逐枚取出，并藉由研磨机器内的半导体晶圆固定用夹具来保持，以进行背面研磨。经过背面研磨的半导体晶圆会藉由机械手臂被收纳在晶圆盒，并且运送至后续步骤。若将大口径的半导体晶圆磨薄，则半导体晶圆的刚性降低，而容易弯曲。若此时半导体晶圆的弯曲严重，则在运送至后续步骤时会发生吸附不良，最差的情况半导体晶圆会在运送途中由吸附臂脱离而落下等问题，藉由背面研磨步骤至切割带安装步骤能够一并实施而被称为联机系统的薄膜研磨专用机的登场、或开发出特殊的半导体晶圆表面保护用粘合带(参考例如日本专利文献1、2)而逐渐解决。藉由导入这些半导体晶圆表面保护用粘合带或薄膜研磨专用装置，半导体晶圆运送时运送失误的问题得以解决，认为今后研磨厚度也会日渐往薄膜化发展。

然而，研磨后的薄型晶圆会被安装在切割带或切割·芯片接合膜，然后半导体晶圆表面保护用粘合带会在装置内被剥离。如以上所述般，将半导体晶圆表面保护用粘合带剥离时，由于半导体晶圆为大直径而且为薄膜，若剥离力高，则会对半导体晶圆造成负荷，容易发生破裂的问题。

此外，近年来倒装芯片的安装方式等逐渐增加，利用焊接凸块或金凸块等的接合方式也在增加。尤其这些晶圆是藉由被称为底部填充剂的树脂来密封，因此为了提升与底部填充剂的密合性，会有进行晶圆表面的活性化来强化与底部填充剂的密合性的倾向。但是随着与底部填充剂的密合性提升，与半导体晶圆表面保护用粘合带的密合性也会提升，必要的剥离力变高，而发生剥离不良的问题。