[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合带

权利要求书

1.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，贴合在表面具有高低差的半导体晶圆并在此状态下放置时不会发生浮起，

所述半导体晶圆表面保护用粘合带至少具有粘合剂层与基材膜，

所述粘合剂层不会因为能量射线的照射而固化，

在23℃时对于剥离速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A与在23℃时对于剥离速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0，

关于对于剥离速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力，在23℃时的粘合力为1.2～4.5N/25mm，在50℃时的粘合力为在23℃时的粘合力的50％以下。

2.如权利要求1所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层以在有机溶剂中合成的(甲基)丙烯酸系聚合物为主成分，所述(甲基)丙烯酸系聚合物具有羟基及羧基，酸值为40～70mgKOH/g。

3.如权利要求1所述的晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层以在水溶液中合成的(甲基)丙烯酸系聚合物为主成分，相对于所述(甲基)丙烯酸系聚合物100质量份，使用异氰酸酯系交联剂或环氧系交联剂0.1质量份以下，使至少一部分交联而成。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，其用于贴合于在表面具有10μm以上的高低差的半导体晶圆、并将所述半导体晶圆研磨至300μm以下。