[实用新型]一种硅片清洗装置有效
| 申请号: | 201521143834.4 | 申请日: | 2015-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN205289078U | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
| 发明(设计)人: | 房利 | 申请(专利权)人: | 天津天物金佰微电子有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;H01L21/02 |
| 代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 刘莹 |
| 地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于硅片清洗装置领域,尤其是涉及一种硅片清洗装置。
背景技术
随着大规模集成电路的发展、集成电路的集成度不断提高、线宽不断减 小,集成电路对硅片表面的洁净度、表面化学态、氧化膜厚度的要求也越来 越高。半导体器件生产中的硅片必须经严格清洗,否则即使微量污染也会导 致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括无机物和有机物。这 些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片 表面。有机污染物包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工 具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染物包括重金属金、铜、铁、铬等,严 重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属和钠等会引起严重漏电。颗粒污 染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等会导致各种缺陷。目前 由于硅片清洗不当引起的器件失效的数量已超过集成电路中总损失的一半。 要想得到高质量的硅片,必须改进传统清洗方法,使硅片具有非常洁净的表 面。然而要达到此目标,对硅片清洗设备的改进是一个非常大的挑战。目前 的硅片去污方法多采用多个清洗槽阶梯洗涤的方式,不仅工序繁杂而且洗涤 后硅片表面的污染物会残留堆积在硅片表面,造成局部清洗不干净。
发明内容
有鉴于此,本实用新型旨在提出一种一种硅片清洗装置,以解决硅片清 洗工序繁杂、硅片局部清洗不干净的问题。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种硅片清洗装置,包括清洗槽、喷淋管、清洗篮、清洗槽侧壁一、清 洗槽侧壁二、硅片垫板,其中所述清洗槽侧壁一与清洗槽侧壁二分别设有喷 淋管,所述喷淋管的一端封闭,另一端与供水管相连,所述喷淋管上设有喷 嘴,所述清洗槽的底部设有硅片垫板,所述清洗篮上设有齿槽,所述清洗篮 的齿槽中插入硅片。
进一步的,所述齿槽中插入的硅片的数量为10~25片。
进一步的,所述硅片的放置方向与喷嘴方向平行。
进一步的,所述喷嘴的间距为5~15cm。
进一步的,所述喷淋管的内径为12~15mm。
进一步的,所述齿槽中插入的硅片的数量为13片。
相对于现有技术,本实用新型所述的一种硅片清洗装置具有以下优势:
(1)本实用新型所述的一种硅片清洗装置能有效清洗掉硅片表面吸附 的残留酸、碱或有机溶剂,让硅片能够得到彻底的清洗,避免了硅片表面局 部清洗不干净的现象,提高了硅片的洁净度;
(2)本实用新型所述的一种硅片清洗装置适用于不同尺寸的硅片,应 用范围广泛,能有效避免硅片破裂和崩边现象,提高了硅片生产的成品率;
(3)本实用新型所述的一种硅片清洗装置缩短了硅片被进一步腐蚀的 时间,防止硅片表面被氧化,该装置清洗工序简单,节约了用水量。
附图说明
构成本发实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理 解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对 本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型实施例所述的清洗槽的结构示意图;
图2为本实用新型实施例所述的清洗篮的结构示意图;
图3为本实用新型实施例所述的放置清洗篮和硅片的硅片清洗装置的结 构示意图
附图标记说明:
1-清洗槽;2-喷淋管;3-喷嘴;4-硅片垫板;5-清洗篮;6-清洗槽侧壁 一;7-清洗槽侧壁二;8-硅片;9-齿槽。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中 的特征可以相互组合。
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