[实用新型]一种联合封装的功率半导体器件

权利要求书

1.一种联合封装的功率半导体器件，其特征在于：包括上盖、基 座、第一半导体芯片、第二半导体芯片和CPU，所述上盖上面设置有 热管，所述热管嵌入于上盖设置，所述上盖内设置有铜管，所述铜管 与上盖为一体式设置，所述铜管为波浪状设置，所述上盖下面设置有 隔热板，所述上盖、基座和隔热板之间形成有第一密封腔、第二密封 腔和第三密封腔，所述第一半导体芯片位于第一密封腔内，所述第二 半导体芯片位于第二密封腔内，所述CPU位于第三密封腔内，所述第 一半导体芯片、第二半导体芯片和CPU均与基座电性连接，所述第一 半导体芯片、第二半导体芯片均与CPU连接。

2.根据权利要求1所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述热管设置有一个以上。

3.根据权利要求2所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述热管呈矩形阵列分布。

4.根据权利要求3所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述铜管表面为镀银设置。

5.根据权利要求4所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述热管与上盖之间设置有导热硅脂。

6.根据权利要求5所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述上盖与基座为一体式设置。

7.根据权利要求6所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述隔热板上设置有过线孔。

8.根据权利要求7所述的联合封装的功率半导体器件，其特征在 于：所述隔热板设置有2块。