[实用新型]一种金属有机化学气相沉淀设备有效
申请号: | 201521112918.1 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205241787U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 陈银霞 | 申请(专利权)人: | 鹤壁职业技术学院 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 458000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 有机化学 沉淀 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种气相外延生长设备技术领域,具体是一种金属有机化学气相沉淀 设备。
背景技术
金属有机化合物化学气相沉淀是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相 外延生长技术。
金属有机化合物化学气相沉淀是一个将特定的原材料通过一系列严格控制,传输到加 热生长区,在此生长区,原材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。 一般MOCVD设备包括加热系统、冷却系统、气体运输系统、尾气处理系统以及控制系统。
采用藕合喷淋头的MOCVD系统的上盖采用小孔输运气态原材料到反应室中进行反应, 由于喷淋头的孔径非常小,且距离反应室内反应平台的距离非常近,气态原材料物质难免 会发生大量预反应,这个反应物会迅速覆盖在喷淋头的小孔表面,尽管每生长一炉,都有 人工刷洗清洁喷淋头表面,但孔隙内仍会残留部分物质,使用时间一长,小孔孔径还是会 越来越小,这就会导致工艺参数漂移很多,无法稳定金属有机化合物化学气相沉淀的工业 生产。目前的设备没有专门针对喷淋头孔径被堵的程度的方法和设备,无法实时监控小孔 被堵对工艺带来的影响
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种金属有机化学气相沉淀设备,以解决上述背景技术中 提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种金属有机化学气相沉淀设备,包括反应箱及喷淋头,所述反应箱上端设置有喷淋 头;所述反应箱内设置有反应腔,所述反应腔底端设置有反应平台,所述反应平台上端设 置有反光层;所述喷淋头包括上盖及孔板,所述孔板上均布有多个向反应腔内输送气态原 材料的小孔,所述上盖顶部设置有多个与小孔对应的窗口,所述上盖上设置有多个激光发 生与接收装置,所述激光发生与接收装置上设置有蜂鸣器,所述蜂鸣器与激光发生与接收 装置电连接;所述反应箱底部设置有电机,所述电机上端与转轴连接,所述转轴穿过反应 箱延伸至反应腔内,所述转轴上端设置有单臂旋转杆,所述单臂旋转杆上端设置有毛刷。
作为本实用新型进一步的方案:所述反应平台下方设置有加热装置。
作为本实用新型再进一步的方案:所述电机下端设置有升降台。
作为本实用新型再进一步的方案:所述毛刷采用高低刷毛间隔排列方式设置。
作为本实用新型再进一步的方案:所述单臂旋转杆与毛刷均采用耐高温的聚四氟乙烯 材质。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:激光发生与接收装置产生激光,激光经 窗口及小孔后照射于反应平台的反光层上并反射,反射后的激光被激光发生与接收装置接 收,激光发生与接收装置根据接收的被反射激光强度判断出小孔的孔径,当小孔孔径过小 时,激光发生与接收装置发讯给蜂鸣器报警,警示工作人员对小孔进行清理;清理时,只 需通过升降台调节毛刷到适当的高度,开启电机,电机带动单臂旋转杆旋转从而带动毛刷 完成小孔的清理,快捷方便,节省人力成本,提高工作效率;所述毛刷采用高低刷毛间隔 排列方式设置,使得清理的效果更好。
综上所述,本新型结构设计合理,能实时检测喷淋头中小孔的通堵状况,并能提醒工 作人员能快捷方便地清理喷淋头,节省人力成本,提高工作效率,且清理的效果好。
附图说明
图1为金属有机化学气相沉淀设备的结构示意图。
图中:1-反应箱,11-反应腔,12-转轴,13-电机,14-反应平台,15-反光层,16-单 臂旋转杆,17-毛刷,18-升降台,2-喷淋头,21-上盖,22-窗口,23-小孔,24-孔板,3- 激光发生与接收装置,31-蜂鸣器。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的 实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的