[实用新型]一种增强型GaN器件有效
| 申请号： | 201521105640.5 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN205303470U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gan 器件 | ||
1.一种增强型GaN器件，其特征在于，包括：
衬底；
SiN/AlN成核层，SiN/AlN成核层位于所述衬底上；
第一GaN缓冲层，所述第一GaN缓冲层位于所述SiN/AlN成核层上；
AlN/GaN空间隔离层，所述AlN/GaN空间隔离层位于所述第一GaN缓冲层上；
第二GaN缓冲层，所述第二GaN缓冲层位于所述AlN/GaN空间隔离层上；
AlN势垒层，所述AlN势垒层位于所述第二GaN缓冲层上；
GaN帽层，所述GaN帽层位于所述AlN势垒层上；
隔离区，所述隔离区形成于所述GaN帽层两侧且深入至所述第一GaN缓冲层内部；
漏极和源极，所述漏极和源极分别位于所述GaN帽层的左右两侧；
栅槽，开设于所述漏极和源极之间的GaN帽层上，且所述栅槽底端位于所述GaN帽层内；
Al2O3钝化层，覆盖在所述源极和所述漏极之间的GaN帽层上和所述栅槽的内壁；
栅极，形成在所述栅槽内的Al2O3钝化层上。
2.根据权利要求1所述的增强型GaN器件，其特征在于，所述衬底具体为Si、SiC、GaN、蓝宝石、Diamond中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的增强型GaN器件，其特征在于，所述第二GaN缓冲层的厚度为1um~2um。
4.根据权利要求1所述的增强型GaN器件，其特征在于，所述第二GaN缓冲层与所述AlN/GaN空间隔离层中AlN接触处的100nm区域形成有二维电子气。
5.根据权利要求1所述的增强型GaN器件，其特征在于，所述AlN势垒层的厚度为1.5nm。
6.根据权利要求1所述的增强型GaN器件，其特征在于，所述GaN帽层的厚度为1nm~3nm。
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