[实用新型]AMOLED显示装置有效
申请号: | 201521071375.3 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN205211756U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 潘爱军;陈红;杜杨;李振伟 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 孙小丁 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种可提高对比度的AMOLED显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)显 示装置具有自发光、广视角、响应时间短、高发光率、色域广、工作电压低、可挠曲等特点, 其被认为是最具潜力的新型显示装置。
AMOLED显示装置具有顶发光及底发光,顶发光器件阴极通常采用半反半透的低功函数导 电电极,阳极采用高功函数的反射镜面金属或多层导电电极结构,而底发光器件阴极通常采 用反射镜面的低功函数导电电极,阳极采用透明导电电极,当户外环境光照射到器件的出光 表面时,大部分的环境光将被阴极或者阳极反射,从而造成AMOLED显示装置的对比度下降, 显示效果变差。
目前,削弱上述反射现象提升对比度的方法有三种:一是采用黑矩阵消除金属走线部分 反射的方法,然而该方法工艺复杂、制作困难;二是采用滤光片消除有机发光区域的阳极反 射的方法,然而该方法对显示装置对比度的改变并不明显,显示效果改善有限;三是采用圆 偏光片及不同折射率材料叠层来整体消除环境光反射的方式,然而该方法工艺复杂且叠层偏 厚会影响显示装置的整体厚度。
实用新型内容
鉴于上述状况,有必要提供一种结构简单、可有效提高对比度的AMOLED显示装置,以现 有技术中的不足。
本实用新型提供一种AMOLED显示装置,包括基板、AMOLED发光区域、封装盖板、以及 封盒,所述AMOLED发光区域设置于所述基板上,所述封盒围设于所述AMOLED发光区域的四 周,所述封装盖板扣设于所述封盒上而将所述AMOLED发光区域封装,所述AMOLED发光区域 包括多个AMOLED显示元件,所述AMOLED显示元件包括阳极、阴极、位于所述阳极和所述阴 极之间的像素层,所述AMOLED显示装置还包括采用溴化银材料制成的掩膜层,所述掩膜层设 置于所述封装盖板的下表面,所述掩膜层设置有多个开口,多个所述开口分别位于所述像素 层的红、绿、蓝像素于所述掩膜层的正投影处。
进一步地,所述AMOLED显示元件还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极 电性连接。
进一步地,任意相邻的两个所述AMOLED显示元件之间设置有像素隔离层以隔离所述 AMOLED显示元件。
进一步地,所述溴化银为纳米粒子。
进一步地,所述像素层包括多个红、绿、蓝子像素。
本实用新型实施例的技术方案带来的有益效果是:上述的AMOLED显示装置,由于包括掩 膜层,使得有效发光区域是始终可透过的,非有效发光区域可以根据外界环境光的强弱改变 其透过率(光线越强,颜色越深,透过率越低),在强光环境下可以将大部分环境光吸收,避 免外界环境光透过AMOLED显示装置在电极发生反射,提高显示对比度,增加可视性,同时能 够兼顾室内使用时的可视性。
附图说明
图1是本实用新型的AMOLED显示装置的结构示意图。
图2是本实用新型的AMOLED显示装置的掩膜层的结构示意图。
图3是溴化银的吸收系数和光强的关系图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效,以下结 合附图及较佳实施例,对本实用新型的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
图1是本实用新型的AMOLED显示装置的结构示意图,请参见图1所示,本实用新型的 AMOLED显示装置10包括由下而上依次设置的基板11、AMOLED发光区域12、封装盖板13、 以及封盒14,基板11、AMOLED发光区域12及封装盖板13,封盒14围设于AMOLED发光区域 12的四周,封盒14、封装盖板13、及基板11将AMOLED发光区域12封装于其内。
基板11一般为透明玻璃材料制成,基板11是AMOLED显示装置10的衬底,AMOLED显示 装置10的AMOLED发光区域12制作于其上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的