[实用新型]AMOLED显示装置有效
| 申请号： | 201521071375.3 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN205211756U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 潘爱军;陈红;杜杨;李振伟 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 孙小丁 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amoled 显示装置 | ||
1.一种AMOLED显示装置(10)，包括基板(11)、AMOLED发光区域(12)、封装盖板(13)、 以及封盒(14)，所述AMOLED发光区域(12)设置于所述基板(11)上，所述封盒(14)围 设于所述AMOLED发光区域(12)的四周，所述封装盖板(13)扣设于所述封盒(14)上而将 所述AMOLED发光区域(12)封装，所述AMOLED发光区域(12)包括多个AMOLED显示元件(120)， 所述AMOLED显示元件(120)包括阳极(121)、阴极(122)、位于所述阳极(121)和所述阴 极(122)之间的像素层(123)，其特征在于：所述AMOLED显示装置(10)还包括采用溴化 银材料制成的掩膜层(15)，所述掩膜层(15)设置于所述封装盖板(13)的下表面，所述掩 膜层(15)设置有多个开口(152)，多个所述开口(152)分别位于所述像素层(123)于所 述掩膜层(15)的正投影处。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示装置(10)，其特征在于：所述AMOLED显示元件(120) 还包括薄膜晶体管(124)，所述薄膜晶体管(124)包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏 极，所述薄膜晶体管(124)的漏极与所述阳极(121)电性连接。
3.如权利要求1所述的AMOLED显示装置(10)，其特征在于：任意相邻的两个所述AMOLED 显示元件(120)之间设置有像素隔离层以隔离所述AMOLED显示元件(120)。
4.如权利要求1所述的AMOLED显示装置(10)，其特征在于：所述溴化银为纳米粒子。
5.如权利要求1所述的AMOLED显示装置(10)，其特征在于：所述像素层(123)包括多 个红、绿、蓝子像素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201521071375.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：n型锗生长结构和半导体器件
- 下一篇：一种新结构的大功率整流桥堆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
