[实用新型]温度控制装置有效
申请号: | 201521061529.0 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN205211708U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 郭荣波 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体生产技术领域,尤其涉及一种温度控制装置。
背景技术
目前,在平板显示及半导体行业中,生产过程中多种工序中均会用到液 体材料的传输和供给,例如涂覆光刻胶、显影液喷涂和晶片处理等等,其中 晶片处理的工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种。
湿法刻蚀主要利用液态化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀的 技术,湿法刻蚀工艺主要是通过湿法刻蚀设备进行实现的。湿法刻蚀设备中 设置有放置刻蚀液的贮液箱,通过在贮液箱中安装加热器对刻蚀液加热。
现有技术中的贮液箱,由于加热器安装在贮液箱的内部,导致加热器容 易被腐蚀,造成刻蚀液的泄露,存在危险性。
实用新型内容
本实用新型提供一种温度控制装置,以解决现有技术中贮液箱,由于加 热器安状在贮液箱的内部,导致加热器容易被腐蚀,造成刻蚀液的泄露,存 在危险性的问题。
本实用新型提供一种温度控制装置,包括:用于盛放刻蚀液的贮液箱、 加热装置和循环泵;
所述加热装置包含加热回路以及加热器,所述加热回路包括加热箱和导 热管;
所述导热管的两端均与所述加热箱连接,且所述导热管至少一部分位于 所述贮液箱外,且能够对处于所述贮液箱内部的刻蚀液进行加热,所述加热 器固定于所述加热箱内部,能够对所述加热箱的内部的液体进行加热,所述 循环泵设置在所述加热回路上,且用于为所述加热回路内的液体流动提供动 力。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:第一阀门;所述第 一阀门设置于所述加热箱与所述贮液箱之间,且所述导热管内的液体由所述 加热箱经所述第一阀门流向所述贮液箱。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:输出管和第二阀门; 所述输出管与所述加热箱连接,用于将所述加热箱内的液体排出,所述第二 阀门设置在所述输出管上。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:用于产生冷却介质 的冷却单元和输送管;
所述循环泵设置在所述导热管上,所述输送管与所述导热管的连接部位 位于所述第一阀门与所述循环泵之间;所述冷却单元与所述输送管连接。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:第三阀门;所述第 三阀门设置在所述输送管上。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:输入管;
所述输入管与所述加热箱连接。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:第四阀门,所述第 四阀门设置在所述输入管上。
进一步地,上述温度控制装置中,所述第一阀门、第二阀门、第三阀门 以及第四阀门各自为手动阀门或自动阀门。
进一步地,上述温度控制装置中,所述装置还包括:温度计;
所述温度计设置在所述贮液箱内。
进一步地,上述温度控制装置中,按照所述加热管内的液体流向,所述 导热管的液体流出端位于所述加热箱的上部,所述导热管的液体流入端位于 所述加热箱的下部。
本实用新型温度控制装置,包括用于盛放刻蚀液的贮液箱、加热装置和 循环泵,加热装置包含加热回路以及加热器,加热回路包括加热箱和导热管, 导热管的两端均与加热箱连接,且导热管至少一部分位于贮液箱外,且能够 对处于贮液箱内部的刻蚀液进行加热,加热器固定于加热箱内部,能够对加 热箱的内部的液体进行加热,循环泵设置在加热回路上,且用于为加热回路 内的液体流动提供动力,解决了现有技术中的贮液箱,由于加热器安装在贮 液箱的内部,导致加热器容易被腐蚀,造成刻蚀液的泄露,存在危险性的问 题,实现了降低生产过程的危险性,显著提高了安全性的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地, 下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来 讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型温度控制装置实施例一的结构示意图;
图2为本实用新型温度控制装置实施例二的结构示意图;
图3为本实用新型温度控制装置实施例三的结构示意图。
附图标记:
10--贮液箱
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造