[实用新型]用于封装半导体器件的高可靠管壳

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体管壳，具体是一种用于封装半导体器件的高可靠管 壳，属于半导体器件的封装管壳技术领域。

背景技术

目前，常用的半导体器件采用玻璃封接或树脂形成封装管壳，保护内部电路，但存 在易受外界外部物理环境和化学环境变化的影响，可靠性差，难于满足半导体器件高可靠、 长寿命稳定工作的要求。

实用新型内容

为了克服现有半导体器件管壳可靠性差的问题，本实用新型提供一种用于封装 半导体器件的高可靠管壳，满足器件对管壳密封、高可靠、轻质和高介质耐电压的要求，同 时兼具必要时的多丝键合或线排键合或烧结导带的内部连接。

为了解决所述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种用于封装半导体器 件的高可靠管壳，包括两块金属底板、两根金属连接柱、结构陶瓷、钼片、打线片、金属环框 和盖板，所述结构陶瓷上开设有两个连接孔，所述两根金属连接柱嵌入连接孔内，所述钼片 和打线片各自连接于两根金属连接柱的顶端，金属底板连接于金属连接柱的底端；金属环 框套在结构陶瓷外侧，盖板盖于金属环框上端；所述金属底板、结构陶瓷、金属环框和盖板 形成用于保护电路的腔体。所述打线片设计，扩充了产品适应封装芯片的类型，特别是具有 大浪涌电流产品需要键合多根键合丝或线排或烧结导带时。

进一步的，所述结构陶瓷为复杂薄壁结构，结构陶瓷的侧面设有增加强度的金属 化层，满足-65℃至150℃的500次温度循环可靠性要求。

进一步的，所述结构陶瓷与金属底板、钼片、打线片、金属环框通过钎焊连接，金属 底板、钼片、打线片与金属连接柱通过钎焊连接。

进一步的，所述钎焊表面做金属化层。

进一步的，述金属环框与盖板平行缝焊。

本实用新型的有益效果：本实用新型满足半导体器件对管壳的可靠性要求，满足 半导体器件电路对密封和高介质耐电压要求，且结构简单。并且所述管壳能适应多种封装 芯片的类型，特别是具有大浪埇电流产品需要键合多根键合丝或线排或烧结导带时。

附图说明

图1为本实用新型的分解示意图；

图2为本实用新型的侧面剖视图；

图3为本实用新型去除盖板后的结构陶瓷与金属环框分体结构示意图。

图中：1、金属底板，2、金属连接柱，3、结构陶瓷，4、钼片，5、打线片，6、金属环框，7、 盖板，8、连接孔，9、结构陶瓷侧面金属化层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进一步的说明和限定。

如图1所示，一种用于封装半导体器件的高可靠管壳，包括两块金属底板1、两根金 属连接柱2、结构陶瓷3、钼片4、打线片5、金属环框6和盖板7，所述结构陶瓷3上开设有两个 连接孔8，两根金属连接柱2嵌入连接孔8内，所述钼片4和打线片5分别连接于两根金属连接 柱2的顶端，金属底板1连接于金属连接柱2的底端；金属环框6套在结构陶瓷3外侧，盖板7盖 于金属环框6上端；所述金属底板1、结构陶瓷3、金属环框6和盖板7形成用于保护电路的腔 体。本实施例的打线片5设计，可以打多根线，扩充了产品适应封装芯片的类型，特别是具有 大浪涌电流产品需要键合多根键合丝或线排或烧结导带时。

所述结构陶瓷3自身是绝缘体的陶瓷材料，为内部电路提供机械支撑和实现绝 缘、密封。所述结构陶瓷3上开设有连接孔8，该连接孔8内嵌入金属连接柱2，金属连接柱2 为封装器件的内外电路提供电信号连接。所述结构陶瓷3与金属底板1、钼片4、打线片5、金 属环框6均通过钎焊连接，所述金属底板1、钼片4、打线片5与金属连接柱2也通过钎焊连 接，并且钎焊表面做金属化层。所述金属环框6与盖板7平行缝焊，所述金属底板1、结构陶 瓷3、金属环框6和盖板7形成用于保护电路的腔体，金属壳体在一定程度上能够隔离电磁 信号，避免电磁干扰。所述结构陶瓷3为复杂薄壁结构，侧面做金属化层提高强度，壁厚满 足管壳对电路的密封支撑要求和平行缝焊要求，且重量较轻。

以上所述实施方式仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新 型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实 用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护 范围内。