[实用新型]电源管理集成电路的封装元件

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种电源管理集成电路，尤其是一种电源管理集成电 路的封装元件。

背景技术

近年来，电源管理集成电路被广泛应用在电源供应器和变频器等领域，随 着集成电路的转换功率提升、体积缩小，散热的问题越来越重要。过去的电源 管理集成电路封装元件，大多是利用胶材将半导体晶粒直接粘贴在基板上，通 过缩短晶粒与基板间的距离提升散热效率。然而胶材的导热功能差，无法有效 帮助半导体晶粒散热，致使产品的可靠度降低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电源管理集成电路的封装元件，尤其可用 于直流转直流转换器或其驱动器等电源管理集成电路，通过金属散热层及焊 料，可有效帮助半导体晶粒散热。

本实用新型提供一种电源管理集成电路的封装元件，包含基板、半导体晶 粒、导电体、金属散热层及焊料。基板部分曝露于所述封装元件，半导体晶粒 设置于基板上，且包含上表面及下表面，上表面具有至少一个接触垫。导电体 电性连接接触垫与基板。金属散热层形成于半导体晶粒的下表面。焊料位于金 属散热层与基板之间。

根据本实用新型一实施例，基板为导线架、陶瓷基板或电路板。

根据本实用新型一实施例，电源管理集成电路封装元件还包含第一金属层 位于基板的上表面，并接触焊料。

根据本实用新型一实施例，基板包含通孔，并贯穿基板。

根据本实用新型一实施例，电源管理集成电路封装元件还包含散热材料于 通孔内。

附图说明

为让本实用新型的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂， 所附附图的说明如下：

图1绘示根据本实用新型一实施例的电源管理集成电路封装元件的剖面 示意图；

图2绘示根据本实用新型一实施例的电源管理集成电路封装元件的剖面 示意图；

图3绘示根据本实用新型一实施例的电源管理集成电路封装元件的剖面 示意图。

具体实施方式

以下将以附图揭露本实用新型的多个实施例，为明确说明起见，许多实务 上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应 用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型部分实施例中，这些实务上的 细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些习知惯用的结构与元件在附图 中将以简单示意的方式绘示。

图1绘示根据本实用新型一实施例的电源管理集成电路封装元件的剖面 示意图。如图1所示，一种电源管理集成电路的封装元件，包含基板110、半 导体晶粒120、金属散热层130、焊料140及导电体150，基板110部分曝露 于所述封装元件。

在一实施例中，基板110为导线架、陶瓷基板、电路板、塑胶基板或其他 合适的基板。在一实施例中，如图1所示，基板110为导线架。

半导体晶粒120例如为直流转直流转换器或其驱动器等电源管理集成电 路，设置于基板110上。半导体晶粒120包含上表面及下表面，上表面具有至 少一个接触垫122(亦可称为功能垫)。在一实施例中，接触垫122位于半导 体晶粒120的上表面。在一实施例中，接触垫122位于半导体晶粒120的上表 面的下方。在一实施例中，接触垫122的上表面与半导体晶粒120的上表面共 平面，如图1所示。

导电体150电性连接接触垫122与基板110。如图1所示，接触垫122透 过导电体150电性连接基板110的一部分，以使半导体晶粒120内的电路元件 (未绘示)电性连接基板110的所述部分。导电体150可例如为打线、铝带、 铜片或其他合适的导电体。在一实施例中，基板110的所述部分与半导体晶粒 120正下方的基板110彼此分离。

金属散热层130形成于半导体晶粒120的下表面。在一实施例中，金属散 热层130接触半导体晶粒120的下表面。在一实施例中，金属散热层130未与 任何具电气功能的元件连接，不具电气功能。

在一实施例中，金属散热层130为单层结构或多层结构。在一实施例中， 金属散热层130包含金属或合金，例如钼、铬、铝、钕、钛、钽、铜、银、金、 锌、铟、镓、钯、钒或其组合。在一实施例中，利用溅镀、蒸镀或其他薄膜沉 积技术形成金属散热层130于半导体晶粒120的下表面上。