[实用新型]一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器有效
| 申请号: | 201521032305.7 | 申请日: | 2015-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN205320046U | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
| 发明(设计)人: | 沈磊;翟江涛;李玮 | 申请(专利权)人: | 武汉芯昌科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K3/3562 | 分类号: | H03K3/3562 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 朱小兵 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖开*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 带置位 复位 信号 复用两 数据 输入 主从 触发器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器,属于数字电路设计领域。
背景技术
随着CMOS工艺的发展,芯片制造早已进入亚微米水平,目前最先进的工艺甚至已经小于15nm,按照摩尔定律的预测,2015年单颗集成电路上可容纳的晶体管数量将超过26亿。目前数模混合工艺芯片是芯片设计制造领域的主流,一般来说,数字电路的版图能占到芯片整体面积的60%以上。因此,在不影响芯片性能的前提下,减小数字电路的面积将大大降低芯片的制造成本,同时也会有效的减少芯片的功耗。
D触发器是数字系统中重要的时序器件,在时钟分频和数据锁存应用中必不可少,同时由于该器件包含的管子数量众多,因此减少D触发器的数量能有效的减小芯片的面积。
传统的带置位和复位的D触发器逻辑图参见图1。传统带置位和复位的D触发器都是单数据输入,只能实现对单通道数据的锁存。主锁存电路由第一或门OR1、第一与非门NAND1、第一反相器INV1及第二传输门TG2组成,从锁存器由第二或门OR2、第二与非门NAND2、第二反相器INV2及第四传输门TG4组成。其中,第一传输门TG1的输入接数据输入端D,输出接第一或门OR1的一个输入端,第一或门OR1的另外一个输入端接复位信号R,输出接第一与非门NAND1的一个输入端,第一与非门NAND1的另外一个输入端接置位信号S,第一与非门NAND1的输出端接第一反相器INV1的输入端,第一反相器INV1的输出接第二传输门TG2的输入端,第二传输门TG2的输出端接第一或门OR1的一个输入端。第三传输门TG3的输入端接第一与非门NAND1的输出端,第三传输门TG3的输出端接第二或门OR2的一个输入端,第二或门OR2的另外一个输入端接复位信号R,输出接第二与非门NAND2的一个输入端,第二与非门NAND2的另外一个输入端接置位信号S,第二与非门NAND2的输出端接输出端口Q,第二反相器INV2的输入接输出端口Q,其输出接接第四传输门TG4的输入端,第四传输门TG4的输出接第二或门OR2的一个输入端。第三反相器INV3的输入接第二与非门NAND2的输出端,第三反相器INV3的输出接输出端口QN。其中传输门的关断与否受时钟信号的控制,为了对输出信号进行整形及增大输出信号的驱动能力,在输出端可以加两组反相器或缓冲器。
传统的带置位和复位的D触发器有两个缺点:其一是传统D触发器为单数据输入结构,如果实现双数据输入,不可避免要使用两组D触发器,如此一来势必会增加MOS管数量,在D触发器大量使用的条件下,多余MOS管造成的芯片面积浪费不可忽视;其二是传统的D触发器采用一个传输门与两个反相器组成锁存电路,该结构的锁存电路在版图实现时会产生比较大的寄生电容。
实用新型内容
针对传统带置位和复位的D触发器存在的不足,本实用新型提供一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器。
本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案:
本实用新型提供一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器,包括数字输入选择电路、主锁存电路、从锁存电路以及用于隔离反相的三态门,其中,
所述数字输入选择电路包括第一至第五PMOS管以及第一至第五NMOS管,其中,第一PMOS管的栅极连接数据选择控制信号,源极连接电源,漏极连接第三PMOS管的源极;第三PMOS管的栅极连接第二数据输入端,漏极连接第五PMOS管的源极;第二PMOS管的栅极连接第一数据输入端,源极连接电源,漏极连接第四PMOS管的源极;第四PMOS管的栅极连接数据选择控制信号的反相信号,漏极连接第五PMOS管的源极;第五PMOS管的栅极连接时钟信号,漏极连接第五NMOS管的漏极;第五NMOS管的栅极连接时钟信号的反相信号,源极分别连接第三NMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极;第三NMOS管的栅极连接第二数据输入端,源极连接第一NMOS管的漏极;第一NMOS管的栅极连接数据选择控制信号的反相信号,源极接地;第四NMOS管的栅极连接数据选择控制信号,源极连接第二NMOS管的漏极;第二NMOS管的栅极连接第一数据输入端,源极接地;
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