[实用新型]硅片有效

专利信息
申请号: 201521010553.1 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN205188483U 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 江菊玲 申请(专利权)人: 嘉兴晶格电子科技有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B29/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 314000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 硅片
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种硅片。

背景技术

目前,现有的硅片在安装过程中,难免会与外物碰撞,导致硅片缺角或破 裂,强度较差,降低了使用寿命,另一方面,硅片安装于设备中,容易松动, 导致设备运行不正常。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种强度较强及能 牢固的安装于设备中的硅片。

本实用新型的技术方案是这样实现的:一种硅片,其特征在于:包括硅片 本体,所述的硅片本体呈圆柱状,所述的硅片本体上设有圆形凹槽,所述的圆 形凹槽的直径与硅片本体的直径比值为0.8,所述的圆形凹槽的圆周面与硅片本 体的圆周面之间的距离为0.3cm。

优选为:所述的圆形凹槽的底部呈斜面。

优选为:所述的圆形凹槽包括第一半圆凹槽和第二半圆凹槽,所述的第一 半圆凹槽的槽深由一端沿着半圆周面往另一端逐渐变大,所述的第二半圆凹槽 的槽深由一端沿着半圆周面往另一端逐渐变大。

优选为:所述的第一半圆凹槽的一端与第二半圆凹槽的一端为同一侧,所 述的第一半圆凹槽的另一端与第二半圆凹槽的另一端为同一侧。

优选为:所述的圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25。

通过采用上述技术方案,此结构设计保证了硅片在安装过程中时,由于表 面为圆形面,就算碰撞外物,也不会使硅片缺角或破裂现象发生,整体强度较 强,保证了使用寿命;且在硅片本体上设置了圆形凹槽,该圆形凹槽的底部呈 斜面,该圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25配合下,进一步保证 了硅片的整体强度,保证了使用寿命;同时,硅片能牢固的安装于设备中,并 且方便安装,保证了稳定性及可靠性,保证了设备能正常的运行。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面 描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型具体实施方式结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方 案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实 施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人 员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型 保护的范围。

如图1所示,本实用新型公开了一种硅片,在本实用新型具体实施例中, 包括硅片本体1,所述的硅片本体1呈圆柱状,所述的硅片本体1上设有圆形凹 槽2,所述的圆形凹槽2的直径与硅片本体的直径比值为0.8,所述的圆形凹槽 2的圆周面与硅片本体1的圆周面之间的距离为0.3cm。

在本实用新型具体实施例中,所述的圆形凹槽2的底部呈斜面。

在本实用新型具体实施例中,所述的圆形凹槽2包括第一半圆凹槽21和第 二半圆凹槽22,所述的第一半圆凹槽21的槽深由一端211沿着半圆周面往另一 端212逐渐变大,所述的第二半圆凹槽22的槽深由一端221沿着半圆周面往另 一端222逐渐变大。

在本实用新型具体实施例中,所述的第一半圆凹槽21的一端211与第二半 圆凹槽22的一端221为同一侧,所述的第一半圆凹槽21的另一端212与第二 半圆凹槽22的另一端222为同一侧。

在本实用新型具体实施例中,所述的圆形凹槽2的槽深与硅片本体1的厚 度比值为0.1-0.25。

通过采用上述技术方案,此结构设计保证了硅片在安装过程中时,由于表 面为圆形面,就算碰撞外物,也不会使硅片缺角或破裂现象发生,整体强度较 强,保证了使用寿命;且在硅片本体上设置了圆形凹槽,该圆形凹槽的底部呈 斜面,该圆形凹槽的槽深与硅片本体的厚度比值为0.1-0.25配合下,进一步保证 了硅片的整体强度,保证了使用寿命;同时,硅片能牢固的安装于设备中,并 且方便安装,保证了稳定性及可靠性,保证了设备能正常的运行。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型, 凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均 应包含在本实用新型的保护范围之内。

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