[实用新型]集成电路霍尔效应测试装置及其测试平台

说明书

技术领域

本实用新型大体上涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路霍尔效应(HallEffect)测试装置及其测试平台。

背景技术

目前，现有技术中还没有为集成电路设计专业的霍尔效应测试平台。然而，霍尔效应作为一种电磁效应，其会通过磁效应对测试导体中的电子产生磁场力的作用并在测试导体两端产生霍尔电压，从而对测试导体的各项参数产生一定影响。对于半导体来说，这种磁效应带来的影响尤为显著。

因而，业内需要设计一种测试平台来检测半导体中的霍尔效应。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供集成电路霍尔效应测试平台，填补行业内集成电路霍尔效应测试的空白，满足不同客户的需求。

根据本实用新型一实施例的集成电路霍尔效应测试平台包括：测试机台、测试底板以及霍尔效应测试装置。测试机台包括基板。霍尔效应测试装置设置在测试底板中。霍尔效应测试装置包括：屏蔽壳体，定义一测试区；磁场线圈，经配置产生磁场；磁场线圈设置于测试区内；以及测试座，经配置以承载待测试集成电路。测试座设置于测试区内且为磁场线圈所环绕。

根据本实用新型的另一实施例，测试区外侧100mm之内的范围为磁场屏蔽区。测试区外侧与测试机台的基板的间隔距离至少大于100mm。测试座包含衬底和导电触片，该导电触片设置于衬底之上。

根据本实用新型的另一实施例，集成电路霍尔效应测试平台还包括一支撑架体，该支撑架体配置于测试底板与测试机台的基板之间且用于支撑该测试底板。根据本实用新型的另一实施例，集成电路霍尔效应测试平台进一步包括多个导杆，该多个导杆用于将待测试集成电路推送或推离测试区。

本实用新型的又一实施例还提供了适用于上述集成电路霍尔效应测试平台的集成电路霍尔效应测试装置。本实用新型实施例在半导体集成电路常规测试平台中设计了用于测试集成电路霍尔效应的测试平台，增加了半导体集成电路的测试项目，提升了集成电路测试机台的能力。

附图说明

图1是根据本实用新型一实施例的处于测试底板中的集成电路霍尔效应测试装置的前视立体结构示意图。

图2是根据本实用新型一实施例的处于测试底板中的集成电路霍尔效应测试装置的后视立体结构示意图。

图3是根据本实用新型一实施例的测试中的集成电路霍尔效应测试装置的侧向透视示意图。

图4是根据本实用新型一实施例的集成电路霍尔效应测试平台示意图。

具体实施方式

为更好的理解本实用新型的精神，以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。

图1是根据本实用新型一实施例的处于测试底板中11的集成电路霍尔效应测试装置10的前视立体结构示意图。图2是根据本实用新型一实施例的处于测试底板11中的集成电路霍尔效应测试装置10的后视立体结构示意图。

如图1和2所示，测试底板11内部设置有集成电路霍尔效应测试装置10，且该测试底板11由非导磁材料构成。集成电路霍尔效应测试装置10包括：屏蔽壳体12、磁场线圈14、测试座16。其中，测试座16包含导电触片20。测试座16用于承载待测试集成电路18，并通过其导电触片20与待测试集成电路18的引脚22电连接。屏蔽壳体12可由塑料或铝等非导磁材料构成，且在该屏蔽壳体12内部定义一测试区24。将用于产生磁场的磁场线圈14设置于该测试区24内。磁场线圈14以绕线方式缠绕于屏蔽壳体12内侧。测试座16为磁场线圈14所环绕，测试座16的形状可设计为使其可为磁场线圈14所环绕的任一形状。

磁场线圈14进一步连接电源线26以与外部电源(未示出)连接，以在测试区24内产生所需磁场。磁场线圈14的绕线圈数以及绕线的直径根据实际测试的需求决定。例如(但不限于)，磁场线圈14的绕线圈数可为2圈或4圈等，绕线的直径可为1mm等。

图3是根据本实用新型一实施例的测试中的霍尔效应测试装置10的侧向透视示意图。

在图3中，测试座16为磁场线圈14所环绕。待测试集成电路18位于磁场线圈14内部且与测试座16的导电触片20连接。当磁场线圈14通过其电源连接线接通电源时，其产生的磁场穿过连接于测试座16的导电触片20的待测试集成电路18，借此模拟磁场环境对于待测试集成电路18的影响。

图4是根据本实用新型一实施例的集成电路霍尔效应测试平台示意图。